Napolitane SiC de 4 inch, substraturi SiC semiizolante 6H, grad prim, pentru cercetare și fictive

Napolitane SiC de 4 inch, substraturi SiC semiizolante 6H, calitate superioară, pentru cercetare și fictivă. Imagine prezentată

Scurtă descriere:

Substratul semiizolat de carbură de siliciu este format prin tăiere, șlefuire, lustruire, curățare și alte tehnologii de procesare după creșterea cristalului de carbură de siliciu semiizolat. Un strat sau un strat de cristal multistrat este crescut pe substratul care îndeplinește cerințele de calitate prin epitaxie, iar apoi dispozitivul RF cu microunde este realizat prin combinarea designului circuitului și a ambalajului. Disponibil ca substraturi monocristaline semiizolate din carbură de siliciu de 2 inch, 3 inch, 4 inch, 6 inch și 8 inch, pentru uz industrial, cercetare și testare.

Trimiteți-ne un e-mail

Caracteristici

Specificații ale produsului

Grad			Grad de producție zero MPD (grad Z)			Grad standard de producție (grad P)		Gradul fictiv (gradul D)
Diametru			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm±25 μm
Orientarea plachetei			În afara axei: 4,0° către <1120> ±0,5° pentru 4H-N, Pe axă: <0001>±0,5° pentru 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientare principală plată		{10-10} ±5,0°
Lungime plată principală		32,5 mm ± 2,0 mm
Lungime plată secundară		18,0 mm ± 2,0 mm
Orientare secundară plată		Fața cu silicon în sus: 90° în sensul acelor de ceasornic față de platul Prime ±5,0°
Excluderea marginilor		3 mm
LTV/TTV/Arc/Urzeală		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugozitate			Fața C				Lustrui		Ra≤1 nm
			Față Si	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Crăpături pe margini cauzate de lumină de intensitate mare		Nici unul						Lungime cumulată ≤ 10 mm, simplă lungime ≤ 2 mm
Plăci hexagonale prin lumină de înaltă intensitate		Suprafață cumulată ≤0,05%						Suprafață cumulată ≤0,1%
Zone politipe prin lumină de intensitate mare		Nici unul						Suprafață cumulată ≤3%
Incluziuni vizuale de carbon		Suprafață cumulată ≤0,05%						Suprafață cumulată ≤3%
Zgârieturi pe suprafața de siliciu cauzate de lumină de intensitate mare		Nici unul						Lungime cumulată ≤ 1 × diametrul plachetei
Cipuri de margine de înaltă intensitate prin lumină		Niciuna permisă lățime și adâncime ≥0,2 mm						5 permise, ≤1 mm fiecare
Contaminarea suprafeței cu siliciu prin intensitate ridicată		Nici unul
Ambalaj		Casetă cu mai multe napolitane sau recipient cu o singură napolitană