Substrat de recuperare fictiv de tip P/N (100) cu plachetă de siliciu de 8 inch, 1-100 Ω
Introducerea cutiei de napolitane
Placheta de siliciu de 8 inci este un material de substrat de siliciu utilizat în mod obișnuit și este utilizată pe scară largă în procesul de fabricație a circuitelor integrate. Astfel de plachete de siliciu sunt utilizate în mod obișnuit pentru a realiza diverse tipuri de circuite integrate, inclusiv microprocesoare, cipuri de memorie, senzori și alte dispozitive electronice. Plachetele de siliciu de 8 inci sunt utilizate în mod obișnuit pentru a realiza cipuri de dimensiuni relativ mari, având avantaje precum o suprafață mai mare și capacitatea de a realiza mai multe cipuri pe o singură plachetă de siliciu, ceea ce duce la o eficiență sporită a producției. Placheta de siliciu de 8 inci are, de asemenea, proprietăți mecanice și chimice bune, fiind potrivită pentru producția de circuite integrate la scară largă.
Caracteristicile produsului
Placă de siliciu lustruită, tip P/N de 8" (25 buc.)
Orientare: 200
Rezistență: 0,1 - 40 ohm•cm (Poate varia de la lot la lot)
Grosime: 725+/-20um
Grad de primăvară/monitorizare/testare
PROPRIETĂȚI ALE MATERIALELOR
| Parametru | Caracteristică |
| Tip/Dopant | P, N de bor, N de fosfor, N de antimoniu, Arsenic |
| Orientări | Orientări de tăiere <100>, <111> conform specificațiilor clientului |
| Conținut de oxigen | 1019ppmA Toleranțe personalizate conform specificațiilor clientului |
| Conținut de carbon | < 0,6 ppmA |
PROPRIETĂȚI MECANICE
| Parametru | Prim | Monitor/ Test A | Test |
| Diametru | 200±0,2mm | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,5 mm |
| Grosime | 725±20µm (standard) | 725±25µm (standard) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm | 725±50µm (standard) |
| TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
| Arc | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
| Înfășurare | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
| Rotunjirea muchiilor | SEMI-STD | ||
| Marcare | Doar SEMI-Plat primar, SEMI-STD Plate Jeida Plat, Notch | ||
| Parametru | Prim | Monitor/ Test A | Test |
| Criterii pentru partea frontală | |||
| Starea suprafeței | Lustruit chimic mecanic | Lustruit chimic mecanic | Lustruit chimic mecanic |
| Rugozitatea suprafeței | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
| Contaminare Particule la >0,3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
| Ceață, Gropi Coajă de portocală | Nici unul | Nici unul | Nici unul |
| Fierăstrău, Mărci Striații | Nici unul | Nici unul | Nici unul |
| Criterii pentru partea din spate | |||
| Crăpături, urme de labe de gâscă, urme de fierăstrău, pete | Nici unul | Nici unul | Nici unul |
| Starea suprafeței | Gravat caustic | ||
Diagramă detaliată





