Plachete cu carbură de siliciu de 2 inchi 6H sau 4H Substraturi SiC de tip N sau semiizolante
Produse recomandate
Plachetă 4H SiC de tip N
Diametru: 2 inch 50,8 mm | 4 inci 100 mm | 6 inch 150 mm
Orientare: în afara axei 4,0˚ spre <1120> ± 0,5˚
Rezistivitate: < 0,1 ohm.cm
Rugozitate: Si-face CMP Ra <0,5 nm, lustruire optică C-face Ra <1 nm
Napolitană 4H SiC Semiizolantă
Diametru: 2 inch 50,8 mm | 4 inci 100 mm | 6 inch 150 mm
Orientare: pe axa {0001} ± 0,25˚
Rezistivitate: >1E5 ohm.cm
Rugozitate: Si-face CMP Ra <0,5 nm, lustruire optică C-face Ra <1 nm
1. Infrastructură 5G -- alimentare de comunicații.
Sursa de alimentare pentru comunicații este baza de energie pentru comunicarea cu serverul și stația de bază. Furnizează energie electrică pentru diferite echipamente de transmisie pentru a asigura funcționarea normală a sistemului de comunicații.
2. Teancul de încărcare a vehiculelor cu energie nouă -- modulul de putere al grămezilor de încărcare.
Eficiența ridicată și puterea ridicată a modulului de putere a pilei de încărcare pot fi realizate prin utilizarea carbură de siliciu în modulul de putere a pilei de încărcare, pentru a îmbunătăți viteza de încărcare și a reduce costul de încărcare.
3. Centru mare de date, Internet industrial -- sursa de alimentare pentru server.
Sursa de alimentare a serverului este biblioteca de energie a serverului. Serverul oferă energie pentru a asigura funcționarea normală a sistemului server. Utilizarea componentelor de putere din carbură de siliciu în sursa de alimentare a serverului poate îmbunătăți densitatea de putere și eficiența sursei de alimentare a serverului, poate reduce volumul centrului de date în ansamblu, poate reduce costul total de construcție al centrului de date și poate obține un mediu mai ridicat. eficienţă.
4. Uhv - Aplicarea întrerupătoarelor de circuit DC cu transmisie flexibilă.
5. Tranzit feroviar interurban de mare viteză și tranzit feroviar interurban -- convertoare de tracțiune, transformatoare electronice de putere, convertoare auxiliare, surse de alimentare auxiliare.
Parametru
Proprietăți | unitate | Siliciu | Sic | GaN |
Lățime bandgap | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
Câmp de defalcare | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
Mobilitatea electronilor | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Deriva de viteză | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
Conductivitate termică | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |