Pe 26, Power Cube Semi a anunțat dezvoltarea cu succes a primului semiconductor MOSFET SiC (Silicon Carbide) de 2300 V din Coreea de Sud.În comparație cu semiconductorii pe bază de Si (Siliciu), SiC (Carbură de Siliciu) poate rezista la tensiuni mai mari, fiind, prin urmare, salutat ca...
Citeşte mai mult