Substrat de recuperare fictiv de tip P/N (100) cu plachetă de siliciu de 8 inch, 1-100 Ω
Introducerea cutiei de napolitane
Placheta de siliciu de 8 inci este un material de substrat de siliciu utilizat în mod obișnuit și este utilizată pe scară largă în procesul de fabricație a circuitelor integrate. Astfel de plachete de siliciu sunt utilizate în mod obișnuit pentru a realiza diverse tipuri de circuite integrate, inclusiv microprocesoare, cipuri de memorie, senzori și alte dispozitive electronice. Plachetele de siliciu de 8 inci sunt utilizate în mod obișnuit pentru a realiza cipuri de dimensiuni relativ mari, având avantaje precum o suprafață mai mare și capacitatea de a realiza mai multe cipuri pe o singură plachetă de siliciu, ceea ce duce la o eficiență sporită a producției. Placheta de siliciu de 8 inci are, de asemenea, proprietăți mecanice și chimice bune, fiind potrivită pentru producția de circuite integrate la scară largă.
Caracteristicile produsului
Placă de siliciu lustruită, tip P/N de 8" (25 buc.)
Orientare: 200
Rezistență: 0,1 - 40 ohm•cm (Poate varia de la lot la lot)
Grosime: 725+/-20um
Grad de primăvară/monitorizare/testare
PROPRIETĂȚI ALE MATERIALELOR
Parametru | Caracteristică |
Tip/Dopant | P, N de bor, N de fosfor, N de antimoniu, Arsenic |
Orientări | Orientări de tăiere <100>, <111> conform specificațiilor clientului |
Conținut de oxigen | 1019ppmA Toleranțe personalizate conform specificațiilor clientului |
Conținut de carbon | < 0,6 ppmA |
PROPRIETĂȚI MECANICE
Parametru | Prim | Monitor/ Test A | Test |
Diametru | 200±0,2mm | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,5 mm |
Grosime | 725±20µm (standard) | 725±25µm (standard) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm | 725±50µm (standard) |
TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
Arc | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Înfășurare | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Rotunjirea muchiilor | SEMI-STD | ||
Marcare | Doar SEMI-Plat primar, SEMI-STD Plate Jeida Plat, Notch |
Parametru | Prim | Monitor/ Test A | Test |
Criterii pentru partea frontală | |||
Starea suprafeței | Lustruit chimic mecanic | Lustruit chimic mecanic | Lustruit chimic mecanic |
Rugozitatea suprafeței | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
Contaminare Particule la >0,3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
Ceață, Gropi Coajă de portocală | Nici unul | Nici unul | Nici unul |
Fierăstrău, Mărci Striații | Nici unul | Nici unul | Nici unul |
Criterii pentru partea din spate | |||
Crăpături, urme de labe de gâscă, urme de fierăstrău, pete | Nici unul | Nici unul | Nici unul |
Starea suprafeței | Gravat caustic |
Diagramă detaliată


