Plachete epitaxiale GaN-on-SiC personalizate (100mm, 150mm) - Opțiuni multiple de substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Scurtă descriere:

Waferele noastre epitaxiale GaN-on-SiC personalizate oferă performanțe superioare pentru aplicații de mare putere și frecvență înaltă, combinând proprietățile excepționale ale nitrurii de galiu (GaN) cu conductivitatea termică robustă și rezistența mecanică aCarbură de siliciu (SiC). Disponibil în dimensiuni de 100 mm și 150 mm, aceste plachete sunt construite pe o varietate de opțiuni de substrat SiC, inclusiv tipuri 4H-N, HPSI și 4H/6H-P, adaptate pentru a îndeplini cerințele specifice pentru electronica de putere, amplificatoare RF și alte dispozitive semiconductoare avansate. Cu straturi epitaxiale personalizabile și substraturi unice SiC, napolitanele noastre sunt proiectate pentru a asigura eficiență ridicată, management termic și fiabilitate pentru aplicații industriale solicitante.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliu produs

Etichete de produs

Caracteristici

●Grosimea stratului epitaxial: Personalizat de la1,0 µmla3,5 µm, optimizat pentru performanță de putere și frecvență ridicată.

●Opțiuni de substrat SiC: Disponibil cu diferite substraturi SiC, inclusiv:

4H-N: 4H-SiC dopat cu azot de înaltă calitate pentru aplicații de înaltă frecvență și putere mare.
HPSI: SiC semiizolant de înaltă puritate pentru aplicații care necesită izolare electrică.
4H/6H-P: 4H și 6H-SiC amestecați pentru un echilibru de eficiență ridicată și fiabilitate.

●Dimensiuni de napolitană: Disponibil în100 mmşi150 mmdiametre pentru versatilitate în scalarea și integrarea dispozitivelor.

● Tensiune mare de avarie: Tehnologia GaN pe SiC oferă o tensiune mare de avarie, permițând performanțe robuste în aplicații de mare putere.

●Conductivitate termică ridicată: conductivitatea termică inerentă a SiC (aproximativ 490 W/m·K) asigură o disipare excelentă a căldurii pentru aplicații consumatoare de energie.

Specificatii tehnice

Parametru	Valoare
Diametrul napolitanei	100 mm, 150 mm
Grosimea stratului epitaxial	1,0 µm – 3,5 µm (personalizabil)
Tipuri de substrat SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Conductivitate termică SiC	490 W/m·K
Rezistivitate SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semiizolant,4H/6H-P: Amestecat 4H/6H
Grosimea stratului GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentrația de purtător GaN	10^18 cm^-3 până la 10^19 cm^-3 (personalizat)
Calitatea suprafeței napolitanelor	Rugozitate RMS: < 1 nm
Densitatea de dislocare	< 1 x 10^6 cm^-2
Arc de napolitană	< 50 µm
Planeitatea napolitanelor	< 5 µm
Temperatura maximă de funcționare	400°C (tipic pentru dispozitivele GaN-on-SiC)

Aplicații

●Electronica de putere:Wafer-urile GaN-on-SiC oferă o eficiență ridicată și disipare a căldurii, făcându-le ideale pentru amplificatoare de putere, dispozitive de conversie a puterii și circuite cu invertoare de putere utilizate în vehicule electrice, sisteme de energie regenerabilă și mașini industriale.
●Amplificatoare de putere RF:Combinația dintre GaN și SiC este perfectă pentru aplicații RF de înaltă frecvență și putere, cum ar fi telecomunicații, comunicații prin satelit și sisteme radar.
●Aerospațial și apărare:Aceste napolitane sunt potrivite pentru tehnologiile aerospațiale și de apărare care necesită electronice de putere de înaltă performanță și sisteme de comunicații care pot funcționa în condiții dure.
●Aplicații auto:Ideal pentru sistemele de alimentare de înaltă performanță din vehiculele electrice (EV), vehiculele hibride (HEV) și stațiile de încărcare, permițând conversia și controlul eficient al energiei.
●Sisteme militare și radar:Waferele GaN-on-SiC sunt utilizate în sistemele radar pentru eficiența lor ridicată, capacitățile de manipulare a puterii și performanța termică în medii solicitante.
● Aplicații cu microunde și unde milimetrice:Pentru sistemele de comunicații de ultimă generație, inclusiv 5G, GaN-on-SiC oferă performanțe optime în intervalele de microunde de mare putere și unde milimetrice.

Întrebări și răspunsuri

Î1: Care sunt beneficiile utilizării SiC ca substrat pentru GaN?

A1:Carbura de siliciu (SiC) oferă o conductivitate termică superioară, o tensiune mare de rupere și rezistență mecanică în comparație cu substraturile tradiționale precum siliciul. Acest lucru face ca waferele GaN-on-SiC să fie ideale pentru aplicații de mare putere, frecvență înaltă și temperatură ridicată. Substratul SiC ajută la disiparea căldurii generate de dispozitivele GaN, îmbunătățind fiabilitatea și performanța.

Î2: Grosimea stratului epitaxial poate fi personalizată pentru aplicații specifice?

A2:Da, grosimea stratului epitaxial poate fi personalizată într-un interval de1,0 µm până la 3,5 µm, în funcție de cerințele de putere și frecvență ale aplicației dvs. Putem adapta grosimea stratului GaN pentru a optimiza performanța pentru dispozitive specifice, cum ar fi amplificatoare de putere, sisteme RF sau circuite de înaltă frecvență.

Î3: Care este diferența dintre substraturile 4H-N, HPSI și 4H/6H-P SiC?

A3:

4H-N: 4H-SiC dopat cu azot este utilizat în mod obișnuit pentru aplicații de înaltă frecvență care necesită performanțe electronice ridicate.
HPSI: SiC semiizolant de înaltă puritate asigură izolarea electrică, ideală pentru aplicații care necesită conductivitate electrică minimă.
4H/6H-P: Un amestec de 4H și 6H-SiC care echilibrează performanța, oferind o combinație de eficiență ridicată și robustețe, potrivită pentru diverse aplicații de electronică de putere.

Î4: Sunt aceste napolitane GaN-on-SiC potrivite pentru aplicații de mare putere, cum ar fi vehiculele electrice și energia regenerabilă?

A4:Da, napolitanele GaN-on-SiC sunt potrivite pentru aplicații de mare putere, cum ar fi vehiculele electrice, energia regenerabilă și sistemele industriale. Tensiunea ridicată de avarie, conductibilitatea termică ridicată și capacitățile de manipulare a puterii ale dispozitivelor GaN-on-SiC le permit să funcționeze eficient în circuitele de conversie și control a puterii solicitante.

Î5: Care este densitatea tipică de dislocare pentru aceste napolitane?

A5:Densitatea de dislocare a acestor plachete GaN-on-SiC este de obicei< 1 x 10^6 cm^-2, care asigură o creștere epitaxială de înaltă calitate, minimizând defectele și îmbunătățind performanța și fiabilitatea dispozitivului.

Î6: Pot solicita o dimensiune specifică a plachetei sau un tip de substrat SiC?

A6:Da, oferim dimensiuni personalizate de plachetă (100 mm și 150 mm) și tipuri de substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) pentru a răspunde nevoilor specifice ale aplicației dumneavoastră. Vă rugăm să ne contactați pentru alte opțiuni de personalizare și pentru a discuta cerințele dvs.

Î7: Cum funcționează napolitanele GaN-on-SiC în medii extreme?

A7:Napolitanele GaN-on-SiC sunt ideale pentru medii extreme datorită stabilității termice ridicate, manevrării puterii mari și capacităților excelente de disipare a căldurii. Aceste napolitane funcționează bine în condiții de temperatură înaltă, putere mare și frecvență înaltă întâlnite frecvent în aplicații aerospațiale, de apărare și industriale.

Concluzie

Waferele noastre epitaxiale GaN-on-SiC personalizate combină proprietățile avansate ale GaN și SiC pentru a oferi performanțe superioare în aplicații de mare putere și de înaltă frecvență. Cu mai multe opțiuni de substrat SiC și straturi epitaxiale personalizabile, aceste plachete sunt ideale pentru industriile care necesită eficiență ridicată, management termic și fiabilitate. Fie pentru electronice de putere, sisteme RF sau aplicații de apărare, wafer-urile noastre GaN-on-SiC oferă performanța și flexibilitatea de care aveți nevoie.