Napolitane epitaxiale GaN-on-SiC personalizate (100 mm, 150 mm) – Opțiuni multiple de substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Scurtă descriere:

Napolitanele noastre epitaxiale GaN-on-SiC personalizate oferă performanțe superioare pentru aplicații de mare putere și frecvență, combinând proprietățile excepționale ale nitrurii de galiu (GaN) cu conductivitatea termică robustă și rezistența mecanică a...Carbură de siliciu (SiC)Disponibile în dimensiuni de plachete de 100 mm și 150 mm, aceste plachete sunt construite pe o varietate de substraturi SiC, inclusiv tipurile 4H-N, HPSI și 4H/6H-P, adaptate pentru a îndeplini cerințele specifice pentru electronica de putere, amplificatoarele RF și alte dispozitive semiconductoare avansate. Cu straturi epitaxiale personalizabile și substraturi SiC unice, plachetele noastre sunt proiectate pentru a asigura o eficiență ridicată, management termic și fiabilitate pentru aplicații industriale solicitante.

Trimiteți-ne un e-mail

Caracteristici

●Grosimea stratului epitaxialPersonalizabil de la1,0 µmla3,5 µm, optimizat pentru performanțe de putere și frecvență ridicate.

●Opțiuni de substrat SiCDisponibil cu diverse substraturi SiC, inclusiv:

4H-N4H-SiC dopat cu azot de înaltă calitate pentru aplicații de înaltă frecvență și putere mare.
HPSISiC semiizolant de înaltă puritate pentru aplicații care necesită izolare electrică.
4H/6H-PAmestec de 4H și 6H-SiC pentru un echilibru între eficiență ridicată și fiabilitate.

●Dimensiuni napolitaneDisponibil în100 mmşi150 mmdiametre pentru versatilitate în scalarea și integrarea dispozitivelor.

●Tensiune de străpungere ridicatăTehnologia GaN pe SiC oferă o tensiune de străpungere ridicată, permițând performanțe robuste în aplicații de mare putere.

●Conductivitate termică ridicatăConductivitatea termică inerentă a SiC (aproximativ 490 W/m·K) asigură o disipare excelentă a căldurii pentru aplicațiile care consumă multă energie.

Specificații tehnice

Parametru	Valoare
Diametrul plachetei	100 mm, 150 mm
Grosimea stratului epitaxial	1,0 µm – 3,5 µm (personalizabil)
Tipuri de substraturi SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Conductivitate termică SiC	490 W/m·K
Rezistență SiC	4H-N10^6 Ω·cm,HPSISemiizolant,4H/6H-PMixt 4H/6H
Grosimea stratului de GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentrația purtătorului de GaN	10^18 cm^-3 până la 10^19 cm^-3 (personalizabil)
Calitatea suprafeței napolitane	Rugozitate RMS< 1 nm
Densitatea dislocațiilor	< 1 × 10^6 cm^-2
Arc de napolitană	< 50 µm
Planeitatea napolitanei	< 5 µm
Temperatura maximă de funcționare	400°C (tipic pentru dispozitivele GaN pe SiC)

Aplicații

●Electronică de putere:Napolitanele GaN-on-SiC oferă o eficiență ridicată și disipare a căldurii, fiind ideale pentru amplificatoare de putere, dispozitive de conversie a puterii și circuite invertoare de putere utilizate în vehiculele electrice, sistemele de energie regenerabilă și utilajele industriale.
●Amplificatoare de putere RF:Combinația dintre GaN și SiC este perfectă pentru aplicații RF de înaltă frecvență și putere mare, cum ar fi telecomunicațiile, comunicațiile prin satelit și sistemele radar.
●Aerospațial și Apărare:Aceste napolitane sunt potrivite pentru tehnologiile aerospațiale și de apărare care necesită electronică de putere și sisteme de comunicații de înaltă performanță, care pot funcționa în condiții dure.
●Aplicații auto:Ideal pentru sisteme de alimentare de înaltă performanță în vehicule electrice (EV), vehicule hibride (HEV) și stații de încărcare, permițând conversia și controlul eficient al energiei.
●Sisteme militare și radar:Napolitanele GaN-on-SiC sunt utilizate în sistemele radar pentru eficiența lor ridicată, capacitățile de gestionare a puterii și performanța termică în medii solicitante.
●Aplicații pentru microunde și unde milimetrice:Pentru sistemele de comunicații de generație următoare, inclusiv 5G, GaN-on-SiC oferă performanțe optime în intervalele de microunde de mare putere și unde milimetrice.

Întrebări și răspunsuri

Î1: Care sunt beneficiile utilizării SiC ca substrat pentru GaN?

A1:Carbura de siliciu (SiC) oferă o conductivitate termică superioară, o tensiune de străpungere ridicată și o rezistență mecanică superioară în comparație cu substraturile tradiționale precum siliciul. Acest lucru face ca napolitanele GaN-on-SiC să fie ideale pentru aplicații de mare putere, frecvență înaltă și temperatură înaltă. Substratul de SiC ajută la disiparea căldurii generate de dispozitivele GaN, îmbunătățind fiabilitatea și performanța.

Î2: Poate fi personalizată grosimea stratului epitaxial pentru aplicații specifice?

A2:Da, grosimea stratului epitaxial poate fi personalizată într-un interval de1,0 µm până la 3,5 µm, în funcție de cerințele de putere și frecvență ale aplicației dumneavoastră. Putem adapta grosimea stratului de GaN pentru a optimiza performanța pentru dispozitive specifice, cum ar fi amplificatoare de putere, sisteme RF sau circuite de înaltă frecvență.

Î3: Care este diferența dintre substraturile SiC 4H-N, HPSI și 4H/6H-P?

A3:

4H-N4H-SiC dopat cu azot este utilizat în mod obișnuit pentru aplicații de înaltă frecvență care necesită performanțe electronice ridicate.
HPSISiC semiizolant de înaltă puritate oferă izolație electrică, ideal pentru aplicații care necesită conductivitate electrică minimă.
4H/6H-PUn amestec de 4H și 6H-SiC care echilibrează performanța, oferind o combinație de eficiență ridicată și robustețe, potrivit pentru diverse aplicații electronice de putere.

Î4: Sunt aceste napolitane GaN-on-SiC potrivite pentru aplicații de mare putere, cum ar fi vehiculele electrice și energia regenerabilă?

A4:Da, napolitanele GaN-on-SiC sunt potrivite pentru aplicații de mare putere, cum ar fi vehiculele electrice, energia regenerabilă și sistemele industriale. Tensiunea ridicată de străpungere, conductivitatea termică ridicată și capacitățile de gestionare a puterii ale dispozitivelor GaN-on-SiC le permit să funcționeze eficient în circuite solicitante de conversie a puterii și control.

Î5: Care este densitatea tipică de dislocații pentru aceste napolitane?

A5:Densitatea dislocațiilor acestor napolitane GaN-pe-SiC este de obicei< 1 × 10^6 cm^-2, care asigură o creștere epitaxială de înaltă calitate, reducând la minimum defectele și îmbunătățind performanța și fiabilitatea dispozitivului.

Î6: Pot solicita o dimensiune specifică de napolitană sau un tip specific de substrat SiC?

A6:Da, oferim dimensiuni personalizate de napolitane (100 mm și 150 mm) și tipuri de substraturi SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) pentru a satisface nevoile specifice ale aplicației dumneavoastră. Vă rugăm să ne contactați pentru opțiuni suplimentare de personalizare și pentru a discuta cerințele dumneavoastră.

Î7: Cum se comportă napolitanele GaN-on-SiC în medii extreme?

A7:Napolitanele GaN-on-SiC sunt ideale pentru medii extreme datorită stabilității termice ridicate, a puterii mari de gestionare și a capacităților excelente de disipare a căldurii. Aceste napolitane au performanțe bune în condiții de temperatură ridicată, putere mare și frecvență înaltă întâlnite frecvent în aplicațiile aerospațiale, de apărare și industriale.

Concluzie

Napolitanele noastre epitaxiale GaN-on-SiC personalizate combină proprietățile avansate ale GaN și SiC pentru a oferi performanțe superioare în aplicații de mare putere și înaltă frecvență. Cu multiple opțiuni de substrat SiC și straturi epitaxiale personalizabile, aceste napolitane sunt ideale pentru industriile care necesită eficiență ridicată, management termic și fiabilitate. Fie că este vorba de electronică de putere, sisteme RF sau aplicații de apărare, napolitanele noastre GaN-on-SiC oferă performanța și flexibilitatea de care aveți nevoie.