Nitrură de galiu (GaN) epitaxială crescută pe napolitane de safir de 4 inch și 6 inch pentru MEMS

Scurtă descriere:

Nitrura de galiu (GaN) de pe napolitanele din safir oferă performanțe de neegalat pentru aplicații de înaltă frecvență și putere mare, fiind materialul ideal pentru modulele frontale RF (radiofrecvență) de generație următoare, lumini LED și alte dispozitive semiconductoare.GaNCaracteristicile electrice superioare ale acestuia, inclusiv o bandă interzisă mare, îi permit să funcționeze la tensiuni și temperaturi de străpungere mai mari decât dispozitivele tradiționale pe bază de siliciu. Pe măsură ce GaN este adoptat din ce în ce mai mult în locul siliciului, acesta determină progrese în domeniul electronicii, care necesită materiale ușoare, puternice și eficiente.

Trimiteți-ne un e-mail

Caracteristici

Proprietățile GaN pe napolitane de safir

●Eficiență ridicată:Dispozitivele pe bază de GaN oferă de cinci ori mai multă putere decât dispozitivele pe bază de siliciu, îmbunătățind performanța în diverse aplicații electronice, inclusiv amplificarea RF și optoelectronica.
●Interval de bandă larg:Banda largă de interdicție a GaN permite o eficiență ridicată la temperaturi ridicate, fiind ideal pentru aplicații de mare putere și înaltă frecvență.
●Durabilitate:Capacitatea GaN de a face față condițiilor extreme (temperaturi ridicate și radiații) asigură performanțe de lungă durată în medii dure.
●Dimensiune mică:GaN permite producerea de dispozitive mai compacte și mai ușoare în comparație cu materialele semiconductoare tradiționale, facilitând electronice mai mici și mai puternice.

Abstract

Nitrura de galiu (GaN) se impune ca semiconductorul preferat pentru aplicații avansate care necesită putere și eficiență ridicate, cum ar fi modulele frontale RF, sistemele de comunicații de mare viteză și iluminatul cu LED-uri. Napolitanele epitaxiale de GaN, atunci când sunt crescute pe substraturi de safir, oferă o combinație de conductivitate termică ridicată, tensiune de străpungere ridicată și răspuns în frecvență larg, elemente esențiale pentru performanțe optime în dispozitivele de comunicații wireless, radare și dispozitive de bruiaj. Aceste napolitane sunt disponibile atât în diametre de 4 inci, cât și de 6 inci, cu grosimi variabile de GaN pentru a satisface diferite cerințe tehnice. Proprietățile unice ale GaN îl fac un candidat ideal pentru viitorul electronicii de putere.

Parametrii produsului

Caracteristica produsului	Specificații
Diametrul plachetei	50 mm, 100 mm, 50,8 mm
Substrat	Safir
Grosimea stratului de GaN	0,5 μm - 10 μm
Tip/Dopare GaN	Tip N (tip P disponibil la cerere)
Orientarea cristalului de GaN	<0001>
Tip de lustruire	Lustruit pe o singură față (SSP), Lustruit pe ambele fețe (DSP)
Grosimea Al2O3	430 μm - 650 μm
TTV (Variația Totală a Grosimii)	≤ 10 μm
Arc	≤ 10 μm
Urzeală	≤ 10 μm
Suprafață	Suprafață utilizabilă > 90%

Întrebări și răspunsuri

Î1: Care sunt principalele avantaje ale utilizării GaN față de semiconductorii tradiționali pe bază de siliciu?

A1GaN oferă mai multe avantaje semnificative față de siliciu, inclusiv o bandă interzisă mai mare, care îi permite să gestioneze tensiuni de străpungere mai mari și să funcționeze eficient la temperaturi mai ridicate. Acest lucru face ca GaN să fie ideal pentru aplicații de mare putere și înaltă frecvență, cum ar fi modulele RF, amplificatoarele de putere și LED-urile. Capacitatea GaN de a gestiona densități de putere mai mari permite, de asemenea, dispozitive mai mici și mai eficiente în comparație cu alternativele pe bază de siliciu.

Î2: Poate fi utilizat GaN pe napolitane de safir în aplicații MEMS (sisteme microelectromecanice)?

A2Da, napolitanele GaN pe safir sunt potrivite pentru aplicații MEMS, în special acolo unde sunt necesare putere mare, stabilitate la temperatură și zgomot redus. Durabilitatea și eficiența materialului în medii de înaltă frecvență îl fac ideal pentru dispozitivele MEMS utilizate în sistemele de comunicații wireless, detectare și radar.

Î3: Care sunt potențialele aplicații ale GaN în comunicațiile fără fir?

A3GaN este utilizat pe scară largă în modulele front-end RF pentru comunicații wireless, inclusiv infrastructură 5G, sisteme radar și bruiaje. Densitatea sa mare de putere și conductivitatea termică îl fac perfect pentru dispozitive de mare putere și înaltă frecvență, permițând performanțe mai bune și factori de formă mai mici în comparație cu soluțiile pe bază de siliciu.

Î4: Care sunt termenele de livrare și cantitățile minime de comandă pentru napolitane GaN pe safir?

A4Timpii de livrare și cantitățile minime de comandă variază în funcție de dimensiunea plachetei, grosimea GaN și cerințele specifice ale clientului. Vă rugăm să ne contactați direct pentru prețuri detaliate și disponibilitate în funcție de specificațiile dumneavoastră.

Î5: Pot obține grosimi sau niveluri de dopare personalizate pentru stratul de GaN?

A5Da, oferim personalizare a grosimii GaN și a nivelurilor de dopare pentru a satisface nevoile specifice ale aplicației. Vă rugăm să ne comunicați specificațiile dorite și vă vom oferi o soluție personalizată.