Nitrură de galiu (GaN) crescută epitaxială pe napolitane de safir 4 inch 6 inch pentru MEMS
Proprietățile GaN pe napolitane de safir
●Eficiență ridicată:Dispozitivele bazate pe GaN oferă de cinci ori mai multă putere decât dispozitivele pe bază de siliciu, îmbunătățind performanța în diverse aplicații electronice, inclusiv amplificarea RF și optoelectronica.
●Wide Bandgap:Gama largă de bandă a GaN permite o eficiență ridicată la temperaturi ridicate, făcându-l ideal pentru aplicații de mare putere și de înaltă frecvență.
●Durabilitate:Capacitatea lui GaN de a face față condițiilor extreme (temperaturi ridicate și radiații) asigură performanțe de lungă durată în medii dure.
●Dimensiune mică:GaN permite producerea de dispozitive mai compacte și mai ușoare în comparație cu materialele semiconductoare tradiționale, facilitând electronice mai mici și mai puternice.
Abstract
Nitrura de galiu (GaN) se conturează ca semiconductorul de alegere pentru aplicațiile avansate care necesită putere și eficiență ridicată, cum ar fi modulele front-end RF, sistemele de comunicații de mare viteză și iluminarea cu LED-uri. Napolitanele epitaxiale GaN, atunci când sunt crescute pe substraturi de safir, oferă o combinație de conductivitate termică ridicată, tensiune mare de rupere și răspuns la frecvență larg, care sunt cheia pentru performanța optimă în dispozitivele de comunicații fără fir, radare și bruiaj. Aceste napolitane sunt disponibile atât în diametre de 4 inchi, cât și în diametre de 6 inci, cu grosimi diferite de GaN pentru a îndeplini diferite cerințe tehnice. Proprietățile unice ale GaN îl fac un candidat principal pentru viitorul electronicii de putere.
Parametrii produsului
| Caracteristica produsului | Caietul de sarcini |
| Diametrul napolitanei | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substratul | Safir |
| Grosimea stratului GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Tip GaN/Dopaj | Tip N (tip P disponibil la cerere) |
| Orientare cristal GaN | <0001> |
| Tip de lustruire | Lustruit pe o singură față (SSP), Lustruit pe două părți (DSP) |
| Al2O3 Grosime | 430 μm - 650 μm |
| TTV (variația totală a grosimii) | ≤ 10 μm |
| Arc | ≤ 10 μm |
| Urzeală | ≤ 10 μm |
| Suprafata | Suprafata utilizabila > 90% |
Întrebări și răspunsuri
Î1: Care sunt avantajele cheie ale utilizării GaN față de semiconductorii tradiționali pe bază de siliciu?
A1: GaN oferă mai multe avantaje semnificative față de siliciu, inclusiv un bandgap mai larg, care îi permite să gestioneze tensiuni de avarie mai mari și să funcționeze eficient la temperaturi mai ridicate. Acest lucru face ca GaN să fie ideal pentru aplicații de mare putere, de înaltă frecvență, cum ar fi module RF, amplificatoare de putere și LED-uri. Capacitatea lui GaN de a gestiona densități de putere mai mari permite, de asemenea, dispozitive mai mici și mai eficiente în comparație cu alternativele pe bază de siliciu.
Î2: Poate fi utilizat GaN pe napolitane Sapphire în aplicații MEMS (sisteme micro-electro-mecanice)?
A2: Da, GaN pe napolitane Sapphire este potrivit pentru aplicații MEMS, în special acolo unde sunt necesare putere mare, stabilitate la temperatură și zgomot redus. Durabilitatea și eficiența materialului în medii de înaltă frecvență îl fac ideal pentru dispozitivele MEMS utilizate în sistemele de comunicații, detecție și radar fără fir.
Î3: Care sunt aplicațiile potențiale ale GaN în comunicațiile fără fir?
A3: GaN este utilizat pe scară largă în modulele front-end RF pentru comunicații fără fir, inclusiv infrastructura 5G, sisteme radar și bruiaj. Densitatea sa mare de putere și conductivitatea termică îl fac perfect pentru dispozitive de mare putere și frecvență înaltă, permițând performanțe mai bune și factori de formă mai mici în comparație cu soluțiile pe bază de siliciu.
Î4: Care sunt termenele de livrare și cantitățile minime de comandă pentru GaN pe napolitane Sapphire?
A4: Perioadele de livrare și cantitățile minime de comandă variază în funcție de dimensiunea plachetei, grosimea GaN și cerințele specifice ale clienților. Vă rugăm să ne contactați direct pentru prețuri detaliate și disponibilitate pe baza specificațiilor dumneavoastră.
Î5: Pot obține grosimea stratului GaN personalizat sau niveluri de dopaj?
A5: Da, oferim personalizare a grosimii GaN și a nivelurilor de dopaj pentru a satisface nevoile specifice ale aplicațiilor. Vă rugăm să ne comunicați specificațiile dorite și vă vom oferi o soluție personalizată.
Diagrama detaliată
