Nitrură de galiu pe placă de siliciu de 4 inch și 6 inch, orientare personalizată a substratului de siliciu, rezistivitate și opțiuni de tip N/tip P

Nitrură de galiu pe placă de siliciu de 4 inch și 6 inch. Orientare, rezistivitate și opțiuni de tip N/P personalizate pentru substratul de siliciu. Imagine prezentată.

Scurtă descriere:

Napolitanele noastre personalizate cu nitrură de galiu pe siliciu (GaN-on-Si) sunt concepute pentru a satisface cerințele tot mai mari ale aplicațiilor electronice de înaltă frecvență și putere mare. Disponibile în dimensiuni de napolitane de 4 inci și 6 inci, aceste napolitane oferă opțiuni de personalizare pentru orientarea substratului de Si, rezistivitate și tipul de dopare (tip N/tip P) pentru a se potrivi nevoilor specifice ale aplicației. Tehnologia GaN-on-Si combină avantajele nitrurii de galiu (GaN) cu substratul de siliciu (Si) cu cost redus, permițând o mai bună gestionare termică, o eficiență mai mare și viteze de comutare mai rapide. Cu bandgap-ul lor larg și rezistența electrică redusă, aceste napolitane sunt ideale pentru conversia puterii, aplicații RF și sisteme de transfer de date de mare viteză.

Trimiteți-ne un e-mail

Caracteristici

●Interval de bandă larg:GaN (3,4 eV) oferă o îmbunătățire semnificativă a performanței la frecvență înaltă, putere mare și temperatură înaltă în comparație cu siliciul tradițional, fiind ideal pentru dispozitive de putere și amplificatoare RF.
●Orientare personalizabilă a substratului de siliciu:Alegeți dintre diferite orientări ale substratului de Si, cum ar fi <111>, <100> și altele, pentru a corespunde cerințelor specifice ale dispozitivului.
●Rezistență personalizată:Selectați între diferite opțiuni de rezistivitate pentru Si, de la semi-izolatoare la rezistivitate ridicată și rezistivitate scăzută pentru a optimiza performanța dispozitivului.
●Tipul de dopaj:Disponibil cu dopare de tip N sau P pentru a îndeplini cerințele dispozitivelor de alimentare, tranzistoarelor RF sau LED-urilor.
●Tensiune de străpungere ridicată:Napolitanele GaN-on-Si au o tensiune de străpungere ridicată (până la 1200V), ceea ce le permite să facă față aplicațiilor de înaltă tensiune.
●Viteze de comutare mai rapide:GaN are o mobilitate electronică mai mare și pierderi de comutație mai mici decât siliciul, ceea ce face ca napolitanele GaN-on-Si să fie ideale pentru circuite de mare viteză.
●Performanță termică îmbunătățită:În ciuda conductivității termice scăzute a siliciului, GaN-on-Si oferă în continuare o stabilitate termică superioară, cu o disipare mai bună a căldurii decât dispozitivele tradiționale din siliciu.

Specificații tehnice

Parametru	Valoare
Dimensiunea napolitanei	4 inci, 6 inci
Orientarea substratului de Si	<111>, <100>, personalizat
Rezistență Si	Rezistivitate ridicată, Semiizolant, Rezistivitate scăzută
Tipul de dopaj	Tip N, tip P
Grosimea stratului de GaN	100 nm – 5000 nm (personalizabil)
Strat de barieră AlGaN	24% – 28% Al (tipic 10-20 nm)
Tensiune de străpungere	600V – 1200V
Mobilitatea electronilor	2000 cm²/V·s
Frecvența de comutare	Până la 18 GHz
Rugozitatea suprafeței waferului	RMS ~0,25 nm (AFM)
Rezistența foii de GaN	437,9 Ω·cm²
Deformare totală a napolitanei	< 25 µm (maxim)
Conductivitate termică	1,3 – 2,1 W/cm·K

Aplicații

Electronică de putereGaN-on-Si este ideal pentru electronica de putere, cum ar fi amplificatoarele de putere, convertoarele și invertoarele utilizate în sistemele de energie regenerabilă, vehiculele electrice (VE) și echipamentele industriale. Tensiunea sa ridicată de străpungere și rezistența redusă la conducție asigură o conversie eficientă a puterii, chiar și în aplicații de mare putere.

Comunicații RF și microundeNapolitanele GaN-on-Si oferă capacități de înaltă frecvență, ceea ce le face perfecte pentru amplificatoare de putere RF, comunicații prin satelit, sisteme radar și tehnologii 5G. Cu viteze de comutare mai mari și capacitatea de a funcționa la frecvențe mai înalte (până la18 GHz), Dispozitivele GaN oferă performanțe superioare în aceste aplicații.

Electronică autoGaN-on-Si este utilizat în sistemele de alimentare auto, inclusivîncărcătoare de bord (OBC)şiConvertoare DC-DCCapacitatea sa de a funcționa la temperaturi mai ridicate și de a rezista la niveluri de tensiune mai ridicate îl face potrivit pentru aplicațiile vehiculelor electrice care necesită o conversie robustă a puterii.

LED și optoelectronicăGaN este materialul preferat pentru LED-uri albastre și albeNapolitanele GaN-on-Si sunt utilizate pentru a produce sisteme de iluminat LED de înaltă eficiență, oferind performanțe excelente în iluminat, tehnologii de afișare și comunicații optice.

Întrebări și răspunsuri

Î1: Care este avantajul GaN față de siliciu în dispozitivele electronice?

A1:GaN are unbandă interzisă mai largă (3,4 eV)decât siliciul (1,1 eV), ceea ce îi permite să reziste la tensiuni și temperaturi mai mari. Această proprietate permite GaN să gestioneze aplicațiile de mare putere mai eficient, reducând pierderile de putere și crescând performanța sistemului. GaN oferă, de asemenea, viteze de comutare mai mari, care sunt cruciale pentru dispozitivele de înaltă frecvență, cum ar fi amplificatoarele RF și convertoarele de putere.

Î2: Pot personaliza orientarea substratului de Si pentru aplicația mea?

A2:Da, oferimorientări personalizabile ale substratului de Sica<111>, <100>... și alte orientări în funcție de cerințele dispozitivului. Orientarea substratului de Si joacă un rol cheie în performanța dispozitivului, inclusiv caracteristicile electrice, comportamentul termic și stabilitatea mecanică.

Î3: Care sunt beneficiile utilizării napolitanelor GaN-on-Si pentru aplicații de înaltă frecvență?

A3:Napolitanele GaN-on-Si oferă o calitate superioarăviteze de comutare, permițând o funcționare mai rapidă la frecvențe mai mari în comparație cu siliciul. Acest lucru le face ideale pentruRFşicuptor cu microundeaplicații, precum și de înaltă frecvențădispozitive de alimentarecaHEMT-uri(Tranzistoare cu mobilitate electronică ridicată) șiAmplificatoare RFMobilitatea mai mare a electronilor din GaN are ca rezultat, de asemenea, pierderi de comutare mai mici și o eficiență îmbunătățită.

Î4: Ce opțiuni de dopare sunt disponibile pentru napolitanele GaN-on-Si?

A4:Oferim ambeleTip NşiTip Popțiuni de dopare, care sunt utilizate în mod obișnuit pentru diferite tipuri de dispozitive semiconductoare.Dopaj de tip Neste ideal pentrutranzistoare de putereşiAmplificatoare RF, în timp ceDopaj de tip Peste adesea folosit pentru dispozitive optoelectronice precum LED-urile.

Concluzie

Napolitanele noastre personalizate din nitrură de galiu pe siliciu (GaN pe Si) oferă soluția ideală pentru aplicații de înaltă frecvență, putere mare și temperatură înaltă. Cu orientări personalizabile ale substratului de Si, rezistivitate și dopare de tip N/tip P, aceste napolitane sunt adaptate pentru a satisface nevoile specifice ale industriilor, de la electronică de putere și sisteme auto până la comunicații RF și tehnologii LED. Valorificând proprietățile superioare ale GaN și scalabilitatea siliciului, aceste napolitane oferă performanță îmbunătățită, eficiență și pregătire pentru viitor pentru dispozitivele de generație următoare.