Nitrură de galiu pe napolitană de siliciu 4 inch 6 inch, adaptate la orientarea substratului, rezistivitate și opțiuni de tip N/tip P
Caracteristici
●Wide Bandgap:GaN (3,4 eV) oferă o îmbunătățire semnificativă a performanței de înaltă frecvență, putere mare și temperatură înaltă în comparație cu siliciul tradițional, făcându-l ideal pentru dispozitive de alimentare și amplificatoare RF.
●Orientarea substratului Si personalizabilă:Alegeți dintre diferite orientări ale substratului Si, cum ar fi <111>, <100> și altele, pentru a se potrivi cerințelor specifice ale dispozitivului.
● Rezistivitate personalizată:Selectați între diferite opțiuni de rezistivitate pentru Si, de la semi-izolare la rezistivitate ridicată și rezistivitate scăzută pentru a optimiza performanța dispozitivului.
●Tip de dopaj:Disponibil în dopaj de tip N sau P pentru a se potrivi cu cerințele dispozitivelor de alimentare, tranzistoarelor RF sau LED-urilor.
●Tensiune mare de avarie:Napolitanele GaN-on-Si au o tensiune mare de rupere (până la 1200V), permițându-le să se ocupe de aplicații de înaltă tensiune.
●Viteze de comutare mai mari:GaN are o mobilitate mai mare a electronilor și pierderi de comutare mai mici decât siliciul, ceea ce face ca waferele GaN-on-Si să fie ideale pentru circuitele de mare viteză.
●Performanță termică îmbunătățită:În ciuda conductibilității termice scăzute a siliciului, GaN-on-Si oferă încă o stabilitate termică superioară, cu o disipare a căldurii mai bună decât dispozitivele tradiționale din siliciu.
Specificatii tehnice
| Parametru | Valoare |
| Dimensiune napolitană | 4 inchi, 6 inci |
| Si Substrate Orientation | <111>, <100>, personalizat |
| Si Rezistivitate | Rezistivitate ridicată, Semiizolantă, Rezistivitate scăzută |
| Tipul de dopaj | de tip N, de tip P |
| Grosimea stratului GaN | 100 nm – 5000 nm (personalizabil) |
| Stratul de barieră AlGaN | 24% – 28% Al (tipic 10-20 nm) |
| Tensiune de avarie | 600V – 1200V |
| Mobilitatea electronilor | 2000 cm²/V·s |
| Frecvența de comutare | Până la 18 GHz |
| Rugozitatea suprafeței plachetei | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Rezistența foii GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Total Wafer Warp | < 25 µm (maximum) |
| Conductivitate termică | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Aplicații
Electronică de putere: GaN-on-Si este ideal pentru electronica de putere, cum ar fi amplificatoare de putere, convertoare și invertoare utilizate în sisteme de energie regenerabilă, vehicule electrice (EV) și echipamente industriale. Tensiunea sa mare de avarie și rezistența scăzută la pornire asigură o conversie eficientă a puterii, chiar și în aplicațiile de mare putere.
Comunicații RF și cu microunde: Wafer-urile GaN-on-Si oferă capabilități de înaltă frecvență, făcându-le perfecte pentru amplificatoare de putere RF, comunicații prin satelit, sisteme radar și tehnologii 5G. Cu viteze de comutare mai mari și capacitatea de a opera la frecvențe mai mari (până la18 GHz), dispozitivele GaN oferă performanțe superioare în aceste aplicații.
Electronică Auto: GaN-on-Si este utilizat în sistemele de alimentare ale autovehiculelor, inclusivîncărcătoare de bord (OBC)şiconvertoare DC-DC. Capacitatea sa de a funcționa la temperaturi mai ridicate și de a rezista la niveluri de tensiune mai ridicate îl face potrivit pentru aplicațiile vehiculelor electrice care necesită o conversie robustă a puterii.
LED și optoelectronică: GaN este materialul ales pentru LED-uri albastre și albe. Napolitanele GaN-on-Si sunt folosite pentru a produce sisteme de iluminare cu LED-uri de înaltă eficiență, oferind performanțe excelente în iluminat, tehnologii de afișare și comunicații optice.
Întrebări și răspunsuri
Î1: Care este avantajul GaN față de siliciu în dispozitivele electronice?
A1:GaN are unbandgap mai mare (3,4 eV)decât siliciul (1,1 eV), ceea ce îi permite să reziste la tensiuni și temperaturi mai mari. Această proprietate permite GaN să gestioneze mai eficient aplicațiile de mare putere, reducând pierderile de putere și crescând performanța sistemului. GaN oferă, de asemenea, viteze de comutare mai mari, care sunt cruciale pentru dispozitivele de înaltă frecvență, cum ar fi amplificatoarele RF și convertoarele de putere.
Î2: Pot personaliza orientarea substratului Si pentru aplicația mea?
A2:Da, oferimorientări personalizabile ale substratului Sica<111>, <100>, și alte orientări în funcție de cerințele dispozitivului dvs. Orientarea substratului Si joacă un rol cheie în performanța dispozitivului, inclusiv caracteristicile electrice, comportamentul termic și stabilitatea mecanică.
Î3: Care sunt beneficiile utilizării plachetelor GaN-on-Si pentru aplicații de înaltă frecvență?
A3:Napolitanele GaN-on-Si oferă superiorviteze de comutare, permițând o funcționare mai rapidă la frecvențe mai mari în comparație cu siliciul. Acest lucru le face ideale pentruRFşicuptor cu microundeaplicații, precum și de înaltă frecvențădispozitive de alimentarecaHEMT-uri(Tranzistoare cu mobilitate ridicată a electronilor) șiamplificatoare RF. Mobilitatea mai mare a electronilor GaN are ca rezultat, de asemenea, pierderi de comutare mai mici și o eficiență îmbunătățită.
Î4: Ce opțiuni de dopaj sunt disponibile pentru napolitanele GaN-on-Si?
A4:Oferim pe ambelede tip Nşide tip Popțiuni de dopaj, care sunt utilizate în mod obișnuit pentru diferite tipuri de dispozitive semiconductoare.Dopaj de tip Neste ideal pentrutranzistoare de putereşiamplificatoare RF, în timp ceDopaj de tip Peste adesea folosit pentru dispozitive optoelectronice precum LED-urile.
Concluzie
Vaferele noastre personalizate cu nitrură de galiu pe siliciu (GaN-on-Si) oferă soluția ideală pentru aplicații de înaltă frecvență, putere mare și temperatură ridicată. Cu orientări personalizabile ale substratului Si, rezistivitate și dopaj de tip N/P, aceste plachete sunt adaptate pentru a satisface nevoile specifice ale industriilor, de la electronice de putere și sisteme auto până la comunicații RF și tehnologii LED. Folosind proprietățile superioare ale GaN și scalabilitatea siliciului, aceste wafer-uri oferă performanță îmbunătățită, eficiență și rezistență la viitor pentru dispozitivele de generație următoare.
Diagrama detaliată
