Matricele de fotodetectori PD Array cu substrat de plachetă epitaxială InGaAs pot fi utilizate pentru LiDAR

Rețelele de fotodetectori PD Array cu substrat de plachetă epitaxială InGaAs pot fi utilizate pentru LiDAR. Imagine prezentată.

Scurtă descriere:

Pelicula epitaxială InGaAs se referă la o peliculă subțire monocristalină de indiu, galiu, arsenic (InGaAs) formată prin tehnologia de creștere epitaxială pe un substrat specific. Substraturile epitaxiale comune de InGaAs sunt fosfura de indiu (InP) și arseniura de galiu (GaAs). Aceste materiale substrat au o calitate cristalină bună și stabilitate termică, ceea ce poate oferi un substrat excelent pentru creșterea straturilor epitaxiale de InGaAs.
Matricea PD (Photodetector Array) este o matrice de fotodetectori multipli capabilă să detecteze simultan mai multe semnale optice. Foaia epitaxială obținută din MOCVD este utilizată în principal în diodele de fotodetecție, stratul de absorbție este compus din U-InGaAs, dopajul de fundal este <5E14, iar Zn difuzat poate fi completat de către client sau de Epihouse. Tabletele epitaxiale au fost analizate prin măsurători PL, XRD și ECV.

Trimiteți-ne un e-mail

Detalii produs

Etichete de produs

Caracteristicile cheie ale foii epitaxiale laser InGaAs includ

1. Potrivirea rețelei: Se poate obține o bună potrivire a rețelei între stratul epitaxial de InGaAs și substratul de InP sau GaAs, reducând astfel densitatea defectelor stratului epitaxial și îmbunătățind performanța dispozitivului.
2. Interval de bandă reglabil: Intervalul de bandă al materialului InGaAs poate fi obținut prin ajustarea proporției componentelor In și Ga, ceea ce face ca placa epitaxială InGaAs să aibă o gamă largă de perspective de aplicare în dispozitivele optoelectronice.
3. Fotosensibilitate ridicată: Pelicula epitaxială InGaAs are o sensibilitate ridicată la lumină, ceea ce o face unică în domeniul detecției fotoelectrice, al comunicațiilor optice și al altor avantaje.
4. Stabilitate la temperaturi ridicate: Structura epitaxială InGaAs/InP are o stabilitate excelentă la temperaturi ridicate și poate menține performanțe stabile ale dispozitivului la temperaturi ridicate.

Principalele aplicații ale tabletelor epitaxiale cu laser InGaAs includ

1. Dispozitive optoelectronice: Tabletele epitaxiale din InGaAs pot fi utilizate pentru fabricarea de fotodiode, fotodetectoare și alte dispozitive optoelectronice, care au o gamă largă de aplicații în comunicațiile optice, vederea nocturnă și alte domenii.

2. Lasere: Foile epitaxiale de InGaAs pot fi utilizate și pentru fabricarea laserelor, în special a laserelor cu lungime de undă lungă, care joacă un rol important în comunicațiile prin fibră optică, procesarea industrială și alte domenii.

3. Celule solare: Materialul InGaAs are o gamă largă de ajustare a intervalului de bandă, care poate îndeplini cerințele de interval de bandă impuse de celulele fotovoltaice termice, astfel încât foaia epitaxială InGaAs are, de asemenea, un anumit potențial de aplicare în domeniul celulelor solare.

4. Imagistică medicală: În echipamentele de imagistică medicală (cum ar fi CT, RMN etc.), pentru detectare și imagistică.

5. Rețea de senzori: în monitorizarea mediului și detectarea gazelor, se pot monitoriza simultan mai mulți parametri.

6. Automatizare industrială: utilizată în sistemele de viziune artificială pentru monitorizarea stării și calității obiectelor de pe linia de producție.

În viitor, proprietățile materialelor substratului epitaxial InGaAs vor continua să se îmbunătățească, inclusiv prin îmbunătățirea eficienței conversiei fotoelectrice și reducerea nivelului de zgomot. Acest lucru va face ca substratul epitaxial InGaAs să fie utilizat pe scară largă în dispozitivele optoelectronice, iar performanța va fi excelentă. În același timp, procesul de preparare va fi, de asemenea, optimizat continuu pentru a reduce costurile și a îmbunătăți eficiența, astfel încât să satisfacă nevoile pieței mai largi.

În general, substratul epitaxial InGaAs ocupă o poziție importantă în domeniul materialelor semiconductoare, datorită caracteristicilor sale unice și perspectivelor largi de aplicare.

XKH oferă personalizări ale foilor epitaxiale de InGaAs cu diferite structuri și grosimi, acoperind o gamă largă de aplicații pentru dispozitive optoelectronice, lasere și celule solare. Produsele XKH sunt fabricate cu echipamente MOCVD avansate pentru a asigura performanțe și fiabilitate ridicate. În ceea ce privește logistica, XKH are o gamă largă de canale de aprovizionare internaționale, care pot gestiona flexibil numărul de comenzi și pot oferi servicii cu valoare adăugată, cum ar fi rafinarea și segmentarea. Procesele eficiente de livrare asigură livrarea la timp și îndeplinesc cerințele clienților în ceea ce privește calitatea și timpii de livrare.