Substratul plachetei epitaxiale InGaAs Rețelele fotodetectoare PD Array pot fi utilizate pentru LiDAR
Caracteristicile cheie ale foii epitaxiale laser InGaAs includ
1. Potrivirea rețelei: Se poate obține o potrivire bună a rețelei între stratul epitaxial InGaAs și substratul InP sau GaAs, reducând astfel densitatea defectelor stratului epitaxial și îmbunătățind performanța dispozitivului.
2. Intercalarea de bandă reglabilă: Intervalul de bandă al materialului InGaAs poate fi obținut prin ajustarea proporției de componente In și Ga, ceea ce face ca foaia epitaxială InGaAs să aibă o gamă largă de perspective de aplicare în dispozitivele optoelectronice.
3. Fotosensibilitate ridicată: filmul epitaxial InGaAs are o sensibilitate ridicată la lumină, ceea ce îl face în domeniul detectării fotoelectrice, al comunicării optice și al altor avantaje unice.
4. Stabilitate la temperaturi ridicate: Structura epitaxială InGaAs/InP are o stabilitate excelentă la temperaturi ridicate și poate menține performanța stabilă a dispozitivului la temperaturi ridicate.
Principalele aplicații ale tabletelor epitaxiale laser InGaAs includ
1. Dispozitive optoelectronice: tabletele epitaxiale InGaAs pot fi utilizate pentru fabricarea fotodiodelor, fotodetectorilor și a altor dispozitive optoelectronice, care au o gamă largă de aplicații în comunicarea optică, vederea pe timp de noapte și alte domenii.
2. Lasere: Plăcile epitaxiale InGaAs pot fi folosite și pentru fabricarea laserelor, în special a laserelor cu lungime de undă lungă, care joacă un rol important în comunicațiile cu fibre optice, procesarea industrială și alte domenii.
3. Celule solare: materialul InGaAs are o gamă largă de ajustare a benzii interzise, care poate îndeplini cerințele de bandă interzisă cerute de celulele fotovoltaice termice, astfel încât foaia epitaxială InGaAs are și un anumit potențial de aplicare în domeniul celulelor solare.
4. Imagistica medicală: În echipamentele de imagistică medicală (cum ar fi CT, RMN, etc.), pentru detectare și imagistică.
5. Rețea de senzori: în monitorizarea mediului și detectarea gazelor, mai mulți parametri pot fi monitorizați simultan.
6. Automatizare industrială: utilizată în sistemele de viziune artificială pentru a monitoriza starea și calitatea obiectelor de pe linia de producție.
În viitor, proprietățile materialelor substratului epitaxial InGaAs vor continua să se îmbunătățească, inclusiv îmbunătățirea eficienței conversiei fotoelectrice și reducerea nivelurilor de zgomot. Acest lucru va face ca substratul epitaxial InGaAs să fie utilizat pe scară largă în dispozitivele optoelectronice, iar performanța este mai excelentă. Totodată, procesul de pregătire va fi, de asemenea, optimizat continuu pentru a reduce costurile și a îmbunătăți eficiența, astfel încât să răspundă nevoilor pieței mai mari.
În general, substratul epitaxial InGaAs ocupă o poziție importantă în domeniul materialelor semiconductoare cu caracteristicile sale unice și perspective largi de aplicare.
XKH oferă personalizări ale foilor epitaxiale InGaAs cu diferite structuri și grosimi, acoperind o gamă largă de aplicații pentru dispozitive optoelectronice, lasere și celule solare. Produsele XKH sunt fabricate cu echipamente MOCVD avansate pentru a asigura performanță și fiabilitate ridicate. În ceea ce privește logistica, XKH are o gamă largă de canale sursă internaționale, care pot gestiona în mod flexibil numărul de comenzi și oferă servicii cu valoare adăugată, cum ar fi rafinarea și segmentarea. Procesele eficiente de livrare asigură livrarea la timp și îndeplinesc cerințele clienților pentru calitate și timpii de livrare.