Sistem de tăiere cu laser ghidat cu microjet de apă pentru materiale avansate
Principalele avantaje
1. Concentrare energetică de neegalat prin îndrumare în domeniul apei
Prin utilizarea unui jet de apă fin presurizat ca ghid de undă laser, sistemul elimină interferențele aerului și asigură o focalizare completă a laserului. Rezultatul este lățimi de tăiere ultra-înguste - de până la 20 μm - cu muchii clare și curate.
2. Amprentă termică minimă
Reglarea termică în timp real a sistemului asigură că zona afectată termic nu depășește niciodată 5 μm, aspect crucial pentru păstrarea performanței materialului și evitarea microfisurilor.
3. Compatibilitate largă a materialelor
Ieșirea cu lungime de undă dublă (532nm/1064nm) oferă o reglare îmbunătățită a absorbției, făcând mașina adaptabilă la o varietate de substraturi, de la cristale optic transparente la ceramică opacă.
4. Control al mișcării de mare viteză și înaltă precizie
Cu opțiuni pentru motoare liniare și cu acționare directă, sistemul susține nevoile de randament ridicat fără a compromite precizia. Mișcarea pe cinci axe permite, de asemenea, generarea de modele complexe și tăieturi multidirecționale.
5. Design modular și scalabil
Utilizatorii pot adapta configurațiile sistemului în funcție de cerințele aplicației - de la prototiparea în laborator până la implementările la scară de producție - ceea ce îl face potrivit în domeniile de cercetare și dezvoltare și industriale.
Domenii de aplicare
Semiconductori de a treia generație:
Perfect pentru napolitane de SiC și GaN, sistemul execută tăiere în cuburi, șanțuri și felieri cu o integritate excepțională a marginilor.
Prelucrarea semiconductorilor cu diamant și oxid:
Folosit pentru tăierea și găurirea materialelor cu duritate ridicată, cum ar fi diamantul monocristalin și Ga₂O₃, fără carbonizare sau deformare termică.
Componente aerospațiale avansate:
Sprijină modelarea structurală a compozitelor ceramice de înaltă rezistență și a superaliajelor pentru componentele motoarelor cu reacție și ale sateliților.
Substraturi fotovoltaice și ceramice:
Permite tăierea fără bavuri a napolitanelor subțiri și a substraturilor LTCC, inclusiv găuri străpunse și frezarea canelurilor pentru interconexiuni.
Scintilatoare și componente optice:
Menține netezimea suprafeței și transmisia în materiale optice fragile precum Ce:YAG, LSO și altele.
Specificații
Caracteristică | Specificații |
Sursă laser | DPSS Nd:YAG |
Opțiuni de lungime de undă | 532nm / 1064nm |
Niveluri de putere | 50 / 100 / 200 wați |
Precizie | ±5μm |
Lățimea de tăiere | De până la 20 μm |
Zona afectată de căldură | ≤5μm |
Tip de mișcare | Acționare liniară / directă |
Materiale acceptate | SiC, GaN, diamant, Ga₂O₃ etc. |
De ce să alegeți acest sistem?
● Elimină problemele tipice de prelucrare cu laser, cum ar fi fisurarea termică și ciobirea marginilor
● Îmbunătățește randamentul și consistența materialelor cu costuri ridicate
● Adaptabil atât pentru utilizare la scară pilot, cât și pentru utilizare industrială
● Platformă pregătită pentru viitor, dedicată științei materialelor în continuă evoluție
Întrebări și răspunsuri
Î1: Ce materiale poate procesa acest sistem?
R: Sistemul este special conceput pentru materiale dure și fragile de mare valoare. Poate procesa eficient carbură de siliciu (SiC), nitrură de galiu (GaN), diamant, oxid de galiu (Ga₂O₃), substraturi LTCC, compozite aerospațiale, napolitane fotovoltaice și cristale scintilatoare precum Ce:YAG sau LSO.
Î2: Cum funcționează tehnologia laser ghidată de apă?
R: Folosește un microjet de apă de înaltă presiune pentru a ghida fasciculul laser prin reflexie internă totală, canalizând eficient energia laser cu împrăștiere minimă. Acest lucru asigură o focalizare ultra-fină, o sarcină termică redusă și tăieturi precise cu lățimi ale liniilor de până la 20 μm.
Î3: Care sunt configurațiile de putere laser disponibile?
R: Clienții pot alege între opțiuni de putere laser de 50W, 100W și 200W, în funcție de viteza de procesare și de nevoile lor de rezoluție. Toate opțiunile mențin stabilitatea și repetabilitatea fasciculului înalt.
Diagramă detaliată




