Substraturi compozite SiC de tip N Dia6inch substrat monocristalin de înaltă calitate și de calitate scăzută

Denumirea „tip N” se referă la tipul de dopaj utilizat în materialele SiC. În fizica semiconductorilor, dopajul implică introducerea intenționată de impurități într-un semiconductor pentru a-i modifica proprietățile electrice. Dopajul de tip N introduce elemente care furnizează un exces de electroni liberi, dând materialului o concentrație de purtător de sarcină negativă.

Avantajele substraturilor compozite SiC de tip N includ:

1. Performanță la temperatură ridicată: SiC are o conductivitate termică ridicată și poate funcționa la temperaturi ridicate, făcându-l potrivit pentru aplicații electronice de mare putere și frecvență înaltă.

2. Tensiune mare de avarie: Materialele SiC au o tensiune mare de rupere, permițându-le să reziste la câmpuri electrice mari fără defecțiuni electrice.

3. Rezistență chimică și de mediu: SiC este rezistent chimic și poate rezista la condiții dure de mediu, făcându-l potrivit pentru utilizare în aplicații dificile.

4. Pierderi reduse de putere: în comparație cu materialele tradiționale pe bază de siliciu, substraturile SiC permit o conversie mai eficientă a puterii și reduc pierderile de putere în dispozitivele electronice.

5. Bandgap larg: SiC are o bandgap larg, permițând dezvoltarea dispozitivelor electronice care pot funcționa la temperaturi mai ridicate și densități de putere mai mari.

În general, substraturile compozite SiC de tip N oferă avantaje semnificative pentru dezvoltarea dispozitivelor electronice de înaltă performanță, în special în aplicațiile în care funcționarea la temperatură înaltă, densitatea mare de putere și conversia eficientă a puterii sunt critice.