Substraturi compozite SiC de tip N, diametru 6 inci, monocristalină de înaltă calitate și substrat de calitate scăzută
Tabelul cu parametri comuni pentru substraturi compozite SiC de tip N
| 项目Articole | 指标Specificații | 项目Articole | 指标Specificații |
| 直径Diametru | 150±0,2mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Rugozitatea frontală (fața Si) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Politip | 4H | Ciobire pe margine, zgârietură, crăpătură (inspecție vizuală) | Nici unul |
| 电阻率Rezistență | 0,015-0,025 ohm ·cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Grosimea stratului de transfer | ≥0,4 μm | 翘曲度Urzeală | ≤35μm |
| 空洞Vid | ≤5 bucăți/plachetă (2 mm > D > 0,5 mm) | 总厚度Grosime | 350±25μm |
Denumirea „tip N” se referă la tipul de dopare utilizat în materialele SiC. În fizica semiconductorilor, doparea implică introducerea intenționată de impurități într-un semiconductor pentru a-i modifica proprietățile electrice. Doparea de tip N introduce elemente care furnizează un exces de electroni liberi, conferind materialului o concentrație negativă de purtători de sarcină.
Avantajele substraturilor compozite SiC de tip N includ:
1. Performanță la temperaturi ridicate: SiC are o conductivitate termică ridicată și poate funcționa la temperaturi ridicate, fiind potrivit pentru aplicații electronice de mare putere și înaltă frecvență.
2. Tensiune ridicată de străpungere: Materialele SiC au o tensiune ridicată de străpungere, ceea ce le permite să reziste la câmpuri electrice intense fără avarii electrice.
3. Rezistență chimică și de mediu: SiC este rezistent chimic și poate face față unor condiții dure de mediu, fiind potrivit pentru utilizarea în aplicații dificile.
4. Pierderi de putere reduse: Comparativ cu materialele tradiționale pe bază de siliciu, substraturile SiC permit o conversie a energiei mai eficientă și reduc pierderile de putere în dispozitivele electronice.
5. Bandă interzisă largă: SiC are o bandă interzisă largă, permițând dezvoltarea de dispozitive electronice care pot funcționa la temperaturi mai ridicate și densități de putere mai mari.
Per total, substraturile compozite SiC de tip N oferă avantaje semnificative pentru dezvoltarea de dispozitive electronice de înaltă performanță, în special în aplicații în care funcționarea la temperaturi ridicate, densitatea mare de putere și conversia eficientă a puterii sunt critice.