Ştiri
-
Echipament de tăiere cu laser de înaltă precizie pentru napolitane SiC de 8 inci: tehnologia de bază pentru viitoarea procesare a napolitanelor SiC
Carbura de siliciu (SiC) nu este doar o tehnologie critică pentru apărarea națională, ci și un material esențial pentru industriile auto și energetică la nivel global. Fiind primul pas critic în procesarea monocristalului SiC, felierea napolitanelor determină direct calitatea subțierii și lustruirii ulterioare. Tr...Citeşte mai mult -
Ochelari AR cu ghid de undă din carbură de siliciu de calitate optică: Prepararea substraturilor semiizolante de înaltă puritate
Pe fondul revoluției inteligenței artificiale (IA), ochelarii AR intră treptat în conștiința publică. Fiind o paradigmă ce îmbină perfect lumea virtuală cu cea reală, ochelarii AR se deosebesc de dispozitivele VR prin faptul că permit utilizatorilor să perceapă atât imagini proiectate digital, cât și lumina ambientală...Citeşte mai mult -
Creșterea heteroepitaxială a 3C-SiC pe substraturi de siliciu cu orientări diferite
1. Introducere În ciuda deceniilor de cercetare, cristalele heteroepitaxiale 3C-SiC crescute pe substraturi de siliciu nu au atins încă o calitate cristalină suficientă pentru aplicații electronice industriale. Creșterea se realizează de obicei pe substraturi de Si(100) sau Si(111), fiecare prezentând provocări distincte: degradare în antifază...Citeşte mai mult -
Ceramica din carbură de siliciu vs. semiconductori Carbură de siliciu: același material cu două destine distincte
Carbura de siliciu (SiC) este un compus remarcabil care poate fi găsit atât în industria semiconductorilor, cât și în produsele ceramice avansate. Acest lucru duce adesea la confuzie în rândul nespecialiștilor, care le pot confunda cu același tip de produs. În realitate, deși au o compoziție chimică identică, SiC se manifestă...Citeşte mai mult -
Progrese în tehnologiile de preparare a ceramicii cu carbură de siliciu de înaltă puritate
Ceramica din carbură de siliciu (SiC) de înaltă puritate a devenit un material ideal pentru componente critice din industria semiconductorilor, aerospațială și chimică, datorită conductivității termice excepționale, stabilității chimice și rezistenței mecanice. Având în vedere cerințele tot mai mari pentru materiale de înaltă performanță și cu polarizare redusă...Citeşte mai mult -
Principii tehnice și procese ale napolitanelor epitaxiale cu LED-uri
Din principiul de funcționare al LED-urilor, este evident că materialul plachetei epitaxiale este componenta centrală a unui LED. De fapt, parametrii optoelectronici cheie, cum ar fi lungimea de undă, luminozitatea și tensiunea directă, sunt în mare măsură determinați de materialul epitaxial. Tehnologia și echipamentele plachetelor epitaxiale...Citeşte mai mult -
Considerații cheie pentru prepararea monocristalului de carbură de siliciu de înaltă calitate
Principalele metode de preparare a monocristalelor de siliciu includ: Transportul fizic de vapori (PVT), Creșterea în soluție la suprafață (TSSG) și Depunerea chimică de vapori la temperatură înaltă (HT-CVD). Printre acestea, metoda PVT este adoptată pe scară largă în producția industrială datorită echipamentului simplu, ușurinței de...Citeşte mai mult -
Niobat de litiu pe izolator (LNOI): Impulsul progresului circuitelor integrate fotonice
Introducere Inspirat de succesul circuitelor integrate electronice (EIC), domeniul circuitelor integrate fotonice (PIC) a evoluat încă de la înființarea sa în 1969. Cu toate acestea, spre deosebire de EIC, dezvoltarea unei platforme universale capabile să suporte diverse aplicații fotonice rămâne...Citeşte mai mult -
Considerații cheie pentru producerea de monocristale de carbură de siliciu (SiC) de înaltă calitate
Considerații cheie pentru producerea de monocristale de carbură de siliciu (SiC) de înaltă calitate Principalele metode de creștere a monocristalelor de carbură de siliciu includ transportul fizic al vaporilor (PVT), creșterea în soluție la suprafață (TSSG) și transportul chimic la temperatură înaltă...Citeşte mai mult -
Tehnologie LED epitaxială de generație următoare: alimentând viitorul iluminatului
LED-urile luminează lumea noastră, iar în centrul fiecărui LED de înaltă performanță se află placa epitaxială - o componentă critică ce definește luminozitatea, culoarea și eficiența sa. Prin stăpânirea științei creșterii epitaxiale, ...Citeşte mai mult -
Sfârșitul unei ere? Falimentul Wolfspeed remodelează peisajul SiC
Falimentul Wolfspeed semnalează un punct de cotitură major pentru industria semiconductorilor SiC Wolfspeed, un lider de lungă durată în tehnologia carburii de siliciu (SiC), a depus cererea de faliment săptămâna aceasta, marcând o schimbare semnificativă în peisajul global al semiconductorilor SiC. Compania...Citeşte mai mult -
Analiza cuprinzătoare a formării stresului în cuarțul topit: cauze, mecanisme și efecte
1. Stres termic în timpul răcirii (cauza principală) Cuarțul topit generează stres în condiții de temperatură neuniforme. La orice temperatură dată, structura atomică a cuarțului topit atinge o configurație spațială relativ „optimă”. Pe măsură ce temperatura se schimbă, sp...Citeşte mai mult