Produse
-
tip p 4H/6H-P 3C-N TIP SIC substrat 4inch 〈111〉± 0,5°Zero MPD
-
Substrat SiC tip P 4H/6H-P 3C-N 4inch cu o grosime de 350um Grad de producție Grad fals
-
4H/6H-P Napolitană SiC de 6 inch Grad zero MPD Grad de producție Grad fals
-
Placa SiC tip P 4H/6H-P 3C-N 6inch grosime 350 μm cu orientare plată primară
-
Brat ceramic din alumina Brat robot ceramic personalizat
-
Tub din safir Metoda KY totul transparent Personalizat
-
Al2O3 99,999% safir lamă personalizată transparentă rezistentă la uzură 38×4,5×0,3mmt
-
Transplantul de păr cu lamă de safir poate fi personalizat în scopuri medicale
-
Liliac YAG materie primă pudră violet în stoc
-
Proces TVG pe napolitană de cuarț safir BF33 Perforare napolitană de sticlă
-
Vafer de siliciu cu un singur cristal Tip substrat N/P Opțional Vafer de carbură de siliciu
-
Substraturi compozite SiC de tip N Dia6inch substrat monocristalin de înaltă calitate și de calitate scăzută