Placă/tavă ceramică SiC pentru suport de napolitană de 4 inch și 6 inch pentru ICP

Scurtă descriere:

Placa ceramică SiC este o componentă de înaltă performanță, fabricată din carbură de siliciu de înaltă puritate, concepută pentru utilizare în medii termice, chimice și mecanice extreme. Renumită pentru duritatea, conductivitatea termică și rezistența sa excepționale la coroziune, placa SiC este utilizată pe scară largă ca purtător de napolitane, susceptor sau componentă structurală în industria semiconductorilor, LED-urilor, fotovoltaică și aerospațială.

Trimiteți-ne un e-mail

Caracteristici

Placă ceramică SiC Rezumat

Cu o stabilitate termică remarcabilă de până la 1600°C și o rezistență excelentă la gaze reactive și medii cu plasmă, placa SiC asigură performanțe constante în timpul proceselor de gravare, depunere și difuzie la temperaturi ridicate. Microstructura sa densă și neporoasă minimizează generarea de particule, fiind ideală pentru aplicații ultra-curate în vid sau în camere sterile.

Aplicație placă ceramică SiC

1. Fabricarea semiconductorilor

Plăcile ceramice de SiC sunt utilizate în mod obișnuit ca suporturi pentru napolitane, susceptoare și plăci de piedestal în echipamentele de fabricare a semiconductorilor, cum ar fi CVD (depunere chimică de vapori), PVD (depunere fizică de vapori) și sistemele de gravare. Conductivitatea lor termică excelentă și expansiunea termică redusă le permit să mențină o distribuție uniformă a temperaturii, ceea ce este esențial pentru procesarea de înaltă precizie a napolitanelor. Rezistența SiC la gaze corozive și plasme asigură durabilitatea în medii dure, contribuind la reducerea contaminării cu particule și a întreținerii echipamentelor.

2. Industria LED-urilor – Gravare ICP

În sectorul producției de LED-uri, plăcile de SiC sunt componente cheie în sistemele de gravare ICP (plasmă cuplată inductiv). Acționând ca suporturi pentru napolitane, acestea oferă o platformă stabilă și robustă din punct de vedere termic pentru a susține napolitanele de safir sau GaN în timpul procesării cu plasmă. Rezistența lor excelentă la plasmă, planeitatea suprafeței și stabilitatea dimensională ajută la asigurarea unei precizii și uniformități ridicate a gravării, ceea ce duce la creșterea randamentului și a performanței dispozitivelor în cipurile LED.

3. Fotovoltaică (PV) și energie solară

Plăcile ceramice de SiC sunt utilizate și în producția de celule solare, în special în timpul etapelor de sinterizare și recoacere la temperaturi ridicate. Inerția lor la temperaturi ridicate și capacitatea de a rezista la deformare asigură o procesare consistentă a napolitanelor de siliciu. În plus, riscul lor scăzut de contaminare este vital pentru menținerea eficienței celulelor fotovoltaice.

Proprietățile plăcii ceramice SiC

1. Rezistență mecanică și duritate excepționale

Plăcile ceramice de SiC prezintă o rezistență mecanică foarte mare, cu o rezistență tipică la încovoiere care depășește 400 MPa și o duritate Vickers care atinge >2000 HV. Acest lucru le face extrem de rezistente la uzură mecanică, abraziune și deformare, asigurând o durată lungă de viață chiar și sub sarcină mare sau cicluri termice repetate.

2. Conductivitate termică ridicată

SiC are o conductivitate termică excelentă (de obicei 120–200 W/m·K), permițându-i să distribuie uniform căldura pe suprafața sa. Această proprietate este esențială în procese precum gravarea, depunerea sau sinterizarea napolitanelor, unde uniformitatea temperaturii afectează direct randamentul și calitatea produsului.

3. Stabilitate termică superioară

Cu un punct de topire ridicat (2700°C) și un coeficient de dilatare termică scăzut (4,0 × 10⁻⁶/K), plăcile ceramice de SiC își mențin precizia dimensională și integritatea structurală în timpul ciclurilor rapide de încălzire și răcire. Acest lucru le face ideale pentru aplicații în cuptoare cu temperatură înaltă, camere de vid și medii cu plasmă.

Proprietăți tehnice
Index	Unitate	Valoare
Numele materialului		Carbură de siliciu sinterizată prin reacție	Carbură de siliciu sinterizată fără presiune	Carbură de siliciu recristalizată
Compoziţie		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densitate în vrac	g/cm³	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Rezistență la încovoiere	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Rezistență la compresiune	MPa (kpsi)	1120 (158)	3970 (560)	> 600
Duritate	Knoop	2700	2800	/
Ruperea tenacității	MPa m1/2	4.5	4	/
Conductivitate termică	W/mk	95	120	23
Coeficientul de dilatare termică	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Căldură specifică	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Temperatura maximă în aer	℃	1200	1500	1600
Modulul de elasticitate	GPA	360	410	240

Întrebări și răspunsuri despre placa ceramică SiC

Î: Care sunt proprietățile plăcii de carbură de siliciu?

O: Plăcile din carbură de siliciu (SiC) sunt cunoscute pentru rezistența, duritatea și stabilitatea termică ridicate. Acestea oferă o conductivitate termică excelentă și o dilatare termică redusă, asigurând performanțe fiabile la temperaturi extreme. SiC este, de asemenea, inert chimic, rezistent la acizi, alcali și medii cu plasmă, fiind ideal pentru procesarea semiconductorilor și a LED-urilor. Suprafața sa densă și netedă minimizează generarea de particule, menținând compatibilitatea cu camerele sterile. Plăcile de SiC sunt utilizate pe scară largă ca purtători de napolitane, susceptori și componente de suport în medii cu temperaturi ridicate și corozive în industria semiconductorilor, fotovoltaică și aerospațială.