Tavă ceramică SiC pentru suport de napolitane cu rezistență la temperaturi ridicate

Scurtă descriere:

Tăvile ceramice din carbură de siliciu (SiC) sunt fabricate din pulbere de SiC de puritate ultra-înaltă (>99,1%) sinterizată la 2450°C, având o densitate de 3,10 g/cm³, rezistență la temperaturi ridicate de până la 1800°C și conductivitate termică de 250-300 W/m·K. Acestea excelează în procesele de gravare MOCVD și ICP a semiconductorilor ca purtători de napolitane, valorificând expansiunea termică redusă (4×10⁻⁶/K) pentru stabilitate la temperaturi ridicate, eliminând riscurile de contaminare inerente purtătorilor tradiționali de grafit. Diametrele standard ajung la 600 mm, cu opțiuni pentru aspirație în vid și caneluri personalizate. Prelucrarea de precizie asigură abateri de planeitate <0,01 mm, îmbunătățind uniformitatea peliculei de GaN și randamentul cipurilor LED.


Caracteristici

Tavă ceramică din carbură de siliciu (tavă SiC)

O componentă ceramică de înaltă performanță pe bază de carbură de siliciu (SiC), proiectată pentru aplicații industriale avansate, cum ar fi fabricarea de semiconductori și producția de LED-uri. Funcțiile sale principale includ servirea ca purtător de napolitane, platformă pentru procese de gravare sau suport pentru procese la temperaturi ridicate, valorificând conductivitatea termică excepțională, rezistența la temperaturi ridicate și stabilitatea chimică pentru a asigura uniformitatea procesului și randamentul produsului.

Caracteristici cheie

1. Performanță termică

  • Conductivitate termică ridicată: 140–300 W/m·K, depășind semnificativ grafitul tradițional (85 W/m·K), permițând disiparea rapidă a căldurii și reducerea stresului termic.
  • Coeficient de dilatare termică scăzut: 4,0×10⁻⁶/℃ (25–1000℃), siliciu foarte apropiat (2,6×10⁻⁶/℃), reducând la minimum riscurile de deformare termică.

2. Proprietăți mecanice

  • Rezistență ridicată: Rezistență la încovoiere ≥320 MPa (20℃), rezistentă la compresiune și impact.
  • Duritate ridicată: duritatea Mohs 9,5, a doua după diamant, oferind o rezistență superioară la uzură.

3. Stabilitate chimică

  • Rezistență la coroziune: Rezistent la acizi puternici (de exemplu, HF, H₂SO₄), potrivit pentru medii de procesare a gravarii.
  • Nemagnetic: Susceptibilitate magnetică intrinsecă <1×10⁻⁶ emu/g, evitând interferențele cu instrumentele de precizie.

4. Toleranță la medii extreme

  • Durabilitate la temperaturi ridicate: Temperatură de funcționare pe termen lung de până la 1600–1900℃; rezistență pe termen scurt de până la 2200℃ (mediu fără oxigen).
  • Rezistență la șocuri termice: Rezistă la schimbări bruște de temperatură (ΔT >1000℃) fără a crăpa.

https://www.xkh-semitech.com/sic-ceramic-tray-for-wafer-carrier-with-high-temperature-resistance%e2%80%8b%e2%80%8b-product/

Aplicații

Domeniul de aplicare

Scenarii specifice

Valoare tehnică

Fabricarea semiconductorilor

Gravare prin wafer (ICP), depunere de peliculă subțire (MOCVD), lustruire CMP

Conductivitatea termică ridicată asigură câmpuri de temperatură uniforme; expansiunea termică redusă minimizează deformarea plachetei.

Producție LED

Creștere epitaxială (de exemplu, GaN), tăiere în cuburi a napolitanelor, ambalare

Suprimă defectele multi-tip, îmbunătățind eficiența luminoasă și durata de viață a LED-urilor.

Industria fotovoltaică

Cuptoare de sinterizare pentru plachete de siliciu, suporturi pentru echipamente PECVD

Rezistența la temperaturi ridicate și șocuri termice prelungește durata de viață a echipamentelor.

Laser și optică

Substraturi de răcire cu laser de mare putere, suporturi pentru sisteme optice

Conductivitatea termică ridicată permite disiparea rapidă a căldurii, stabilizând componentele optice.

Instrumente analitice

Suporturi de probe TGA/DSC

Capacitatea termică redusă și răspunsul termic rapid îmbunătățesc precizia măsurării.

Avantajele produsului

  1. Performanță completă: Conductivitatea termică, rezistența și rezistența la coroziune depășesc cu mult ceramicile de alumină și nitrură de siliciu, îndeplinind cerințe operaționale extreme.
  2. Design ușor: Densitate de 3,1–3,2 g/cm³ (40% din oțel), reducând sarcina inerțială și sporind precizia mișcării.
  3. Longevitate și fiabilitate: Durata de viață a produsului depășește 5 ani la 1600℃, reducând timpul de nefuncționare și costurile operaționale cu 30%.
  4. Personalizare: Acceptă geometrii complexe (de exemplu, ventuze poroase, tăvi multistrat) cu o eroare de planitate <15 μm pentru aplicații de precizie.

Specificații tehnice

​​Categoria parametrilor​​

Indicator

Proprietăți fizice

Densitate

≥3,10 g/cm³

Rezistență la încovoiere (20℃)

320–410 MPa

Conductivitate termică (20℃)

140–300 W/(m·K)

Coeficient de dilatare termică (25–1000℃)

4,0×10⁻⁶/℃

Proprietăți chimice

Rezistență la acid (HF/H₂SO₄)

Fără coroziune după 24 de ore de imersie

Precizie de prelucrare

Planeitate

≤15 μm (300×300 mm)

Rugozitatea suprafeței (Ra)

≤0,4 μm

Serviciile XKH

XKH oferă soluții industriale complete care acoperă dezvoltarea personalizată, prelucrarea de precizie și controlul riguros al calității. Pentru dezvoltarea personalizată, oferă soluții de materiale de înaltă puritate (>99,999%) și poroase (porozitate 30–50%), asociate cu modelare și simulare 3D pentru a optimiza geometrii complexe pentru aplicații precum semiconductori și industria aerospațială. Prelucrarea de precizie urmează un proces simplificat: prelucrarea pulberii → presare izostatică/uscată → sinterizare la 2200°C → rectificare CNC/cu diamant → inspecție, asigurând lustruire la nivel nanometric și o toleranță dimensională de ±0,01 mm. Controlul calității include testarea completă a procesului (compoziția XRD, microstructura SEM, îndoire în 3 puncte) și asistență tehnică (optimizarea procesului, consultanță 24/7, livrare de probe în 48 de ore), oferind componente fiabile și de înaltă performanță pentru nevoi industriale avansate.

https://www.xkh-semitech.com/sic-ceramic-tray-for-wafer-carrier-with-high-temperature-resistance%e2%80%8b%e2%80%8b-product/

Întrebări frecvente (FAQ)

 1. Î: Ce industrii utilizează tăvi ceramice din carbură de siliciu?

A: Utilizate pe scară largă în fabricarea semiconductorilor (manipularea napolitanelor), energia solară (procese PECVD), echipamentele medicale (componente RMN) și industria aerospațială (piese la temperaturi ridicate) datorită rezistenței lor extreme la căldură și stabilității chimice.

2. Î: Cum depășește carbura de siliciu performanța tăvilor din cuarț/sticlă?

A: Rezistență mai mare la șocuri termice (până la 1800°C față de 1100°C la cuarț), zero interferențe magnetice și durată de viață mai lungă (peste 5 ani față de 6-12 luni la cuarț).

3. Î: Pot tăvile din carbură de siliciu să facă față unor medii acide?

R: Da. Rezistente la HF, H2SO4 și NaOH cu o coroziune <0,01 mm/an, ceea ce le face ideale pentru gravarea chimică și curățarea napolitanelor.

4. Î: Tăvile din carbură de siliciu sunt compatibile cu automatizarea?

R: Da. Conceput pentru aspirare în vid și manipulare robotizată, cu o planeitate a suprafeței <0,01 mm pentru a preveni contaminarea cu particule în fabricile automate.

5. Î: Care este comparația costurilor față de materialele tradiționale?

R: Cost inițial mai mare (de 3-5 ori mai mare decât cuarțul), dar cost total de proprietate cu 30-50% mai mic datorită duratei de viață extinse, timpului de nefuncționare redus și economiilor de energie datorate conductivității termice superioare.


  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă