Lingou de carbură de siliciu SiC de 6 inch tip N, grosimea manechinului/gradului prim poate fi personalizată

Lingou de carbură de siliciu SiC de 6 inch tip N, grosimea fictivă/de calitate superioară, poate fi personalizată. Imagine prezentată.

Scurtă descriere:

Carbura de siliciu (SiC) este un material semiconductor cu bandă interzisă largă, care câștigă teren semnificativ într-o gamă largă de industrii datorită proprietăților sale electrice, termice și mecanice superioare. Lingoul de SiC de tip N, de calitate Dummy/Prime, de 6 inci, este special conceput pentru producția de dispozitive semiconductoare avansate, inclusiv aplicații de mare putere și înaltă frecvență. Cu opțiuni de grosime personalizabile și specificații precise, acest lingou de SiC oferă o soluție ideală pentru dezvoltarea de dispozitive utilizate în vehicule electrice, sisteme industriale de alimentare, telecomunicații și alte sectoare de înaltă performanță. Robustețea SiC în condiții de înaltă tensiune, temperatură înaltă și înaltă frecvență asigură performanțe de lungă durată, eficiente și fiabile într-o varietate de aplicații.
Lingoul de SiC este disponibil într-o dimensiune de 6 inci, cu un diametru de 150,25 mm ± 0,25 mm și o grosime mai mare de 10 mm, fiind ideal pentru felierea napolitanelor. Acest produs oferă o orientare a suprafeței bine definită de 4° către <11-20> ± 0,2°, asigurând o precizie ridicată în fabricarea dispozitivelor. În plus, lingoul prezintă o orientare plană primară de <1-100> ± 5°, contribuind la alinierea optimă a cristalelor și la performanța de procesare.
Cu o rezistivitate ridicată în intervalul 0,015–0,0285 Ω·cm, o densitate scăzută a microțevilor <0,5 și o calitate excelentă a muchiilor, acest lingou de SiC este potrivit pentru producerea de dispozitive de putere care necesită defecte minime și performanțe ridicate în condiții extreme.

Trimiteți-ne un e-mail

Detalii produs

Etichete de produs

Proprietăți

Grad: Grad de producție (Dummy/Prime)
Dimensiune: diametru de 6 inci
Diametru: 150,25 mm ± 0,25 mm
Grosime: >10mm (Grosime personalizabilă disponibilă la cerere)
Orientarea suprafeței: 4° către <11-20> ± 0,2°, ceea ce asigură o calitate ridicată a cristalului și o aliniere precisă pentru fabricarea dispozitivului.
Orientare plană primară: <1-100> ± 5°, o caracteristică cheie pentru felierea eficientă a lingoului în napolitane și pentru creșterea optimă a cristalelor.
Lungime principală plată: 47,5 mm ± 1,5 mm, concepută pentru o manipulare ușoară și tăiere de precizie.
Rezistență: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideală pentru aplicații în dispozitive de alimentare de înaltă eficiență.
Densitatea microțevilor: <0,5, asigurând defecte minime care ar putea afecta performanța dispozitivelor fabricate.
BPD (Densitatea de corodare a borului): <2000, o valoare scăzută care indică o puritate cristalină ridicată și o densitate scăzută a defectelor.
TSD (Densitatea dislocațiilor șurubului filetat): <500, asigurând o integritate excelentă a materialului pentru dispozitive de înaltă performanță.
Zone politipice: Niciuna – lingoul nu prezintă defecte politipice, oferind o calitate superioară a materialului pentru aplicații de înaltă calitate.
Indentări pe margine: <3, cu o lățime și o adâncime de 1 mm, asigurând deteriorarea minimă a suprafeței și menținând integritatea lingoului pentru o tăiere eficientă a napolitanelor.
Fisuri pe margini: 3, <1 mm fiecare, cu incidență redusă a deteriorării marginilor, asigurând o manipulare și o prelucrare ulterioară sigure.
Ambalare: Carcasă pentru napolitane – lingoul de SiC este ambalat în siguranță într-o carcasă pentru napolitane pentru a asigura transportul și manipularea în siguranță.

Aplicații

Electronică de putere:Lingoul de SiC de 6 inci este utilizat pe scară largă în producția de dispozitive electronice de putere, cum ar fi MOSFET-uri, IGBT-uri și diode, care sunt componente esențiale în sistemele de conversie a puterii. Aceste dispozitive sunt utilizate pe scară largă în invertoarele vehiculelor electrice (EV), acționările motoarelor industriale, sursele de alimentare și sistemele de stocare a energiei. Capacitatea SiC de a funcționa la tensiuni ridicate, frecvențe înalte și temperaturi extreme îl face ideal pentru aplicații în care dispozitivele tradiționale din siliciu (Si) ar avea dificultăți în a funcționa eficient.

Vehicule electrice (EV):În vehiculele electrice, componentele pe bază de SiC sunt cruciale pentru dezvoltarea modulelor de putere în invertoare, convertoare DC-DC și încărcătoare de bord. Conductivitatea termică superioară a SiC permite o generare redusă de căldură și o eficiență mai bună în conversia puterii, ceea ce este vital pentru îmbunătățirea performanței și a autonomiei vehiculelor electrice. În plus, dispozitivele SiC permit componente mai mici, mai ușoare și mai fiabile, contribuind la performanța generală a sistemelor EV.

Sisteme de energie regenerabilă:Lingourile de SiC sunt un material esențial în dezvoltarea dispozitivelor de conversie a energiei utilizate în sistemele de energie regenerabilă, inclusiv invertoare solare, turbine eoliene și soluții de stocare a energiei. Capacitățile ridicate de gestionare a puterii ale SiC și managementul termic eficient permit o eficiență mai mare a conversiei energiei și o fiabilitate îmbunătățită în aceste sisteme. Utilizarea sa în energia regenerabilă contribuie la impulsionarea eforturilor globale către sustenabilitatea energetică.

Telecomunicații:Lingoul de SiC de 6 inci este potrivit și pentru producerea de componente utilizate în aplicații RF (radiofrecvență) de mare putere. Acestea includ amplificatoare, oscilatoare și filtre utilizate în sistemele de telecomunicații și comunicații prin satelit. Capacitatea SiC de a gestiona frecvențe înalte și putere mare îl face un material excelent pentru dispozitivele de telecomunicații care necesită performanțe robuste și pierderi minime de semnal.

Aerospațială și Apărare:Tensiunea ridicată de străpungere a SiC și rezistența sa la temperaturi ridicate îl fac ideal pentru aplicații aerospațiale și de apărare. Componentele fabricate din lingouri de SiC sunt utilizate în sisteme radar, comunicații prin satelit și electronică de putere pentru aeronave și nave spațiale. Materialele pe bază de SiC permit sistemelor aerospațiale să funcționeze în condiții extreme întâlnite în spațiu și în medii de mare altitudine.

Automatizare industrială:În automatizările industriale, componentele SiC sunt utilizate în senzori, actuatoare și sisteme de control care trebuie să funcționeze în medii dure. Dispozitivele pe bază de SiC sunt utilizate în utilaje care necesită componente eficiente și durabile, capabile să reziste la temperaturi ridicate și solicitări electrice.

Tabel cu specificații ale produsului

Proprietate	Specificații
Grad	Producție (fictivă/principală)
Dimensiune	6 inci
Diametru	150,25 mm ± 0,25 mm
Grosime	>10mm (Personalizabil)
Orientarea suprafeței	4° către <11-20> ± 0,2°
Orientare principală plată	<1-100> ± 5°
Lungime plată principală	47,5 mm ± 1,5 mm
Rezistență	0,015–0,0285 Ω·cm
Densitatea microțevilor	<0,5
Densitatea de corodare a borului (BPD)	<2000
Densitatea dislocațiilor șurubului de filetare (TSD)	<500
Zone politipe	Nici unul
Indentări la margine	<3, lățime și adâncime de 1 mm
Crăpături de margine	3, <1 mm/buc.
Ambalare	Carcasă de napolitană

Concluzie

Lingoul SiC de 6 inci – tip N, calitate Dummy/Prime, este un material premium care îndeplinește cerințele riguroase ale industriei semiconductorilor. Conductivitatea termică ridicată, rezistivitatea excepțională și densitatea redusă a defectelor îl fac o alegere excelentă pentru producția de dispozitive electronice de putere avansate, componente auto, sisteme de telecomunicații și sisteme de energie regenerabilă. Grosimea personalizabilă și specificațiile de precizie asigură că acest lingou SiC poate fi adaptat la o gamă largă de aplicații, asigurând performanțe ridicate și fiabilitate în medii solicitante. Pentru informații suplimentare sau pentru a plasa o comandă, vă rugăm să contactați echipa noastră de vânzări.