Lingotul de carbură de siliciu SiC 6inch tip N Dummy/prime grade grosime poate fi personalizat

Scurtă descriere:

Carbura de siliciu (SiC) este un material semiconductor cu bandă interzisă largă, care câștigă o tracțiune semnificativă într-o serie de industrii datorită proprietăților sale electrice, termice și mecanice superioare. Lingotul SiC în gradul Dummy/Prime de tip N de 6 inchi este proiectat special pentru producția de dispozitive semiconductoare avansate, inclusiv aplicații de mare putere și de înaltă frecvență. Cu opțiuni de grosime personalizabile și specificații precise, acest lingou de SiC oferă o soluție ideală pentru dezvoltarea dispozitivelor utilizate în vehicule electrice, sisteme de alimentare industriale, telecomunicații și alte sectoare de înaltă performanță. Robustețea SiC în condiții de înaltă tensiune, temperatură ridicată și frecvență înaltă asigură performanțe de lungă durată, eficiente și fiabile într-o varietate de aplicații.
Lingotul SiC este disponibil într-o dimensiune de 6 inci, cu un diametru de 150,25 mm ± 0,25 mm și o grosime mai mare de 10 mm, ceea ce îl face ideal pentru felierea napolitanelor. Acest produs oferă o orientare bine definită a suprafeței de 4° spre <11-20> ± 0,2°, asigurând o mare precizie în fabricarea dispozitivului. În plus, lingoul are o orientare plată primară de <1-100> ± 5°, contribuind la alinierea optimă a cristalului și la performanța de procesare.
Cu o rezistivitate ridicată în intervalul 0,015–0,0285 Ω·cm, o densitate scăzută a microțevii de <0,5 și o calitate excelentă a marginilor, acest Lingot SiC este potrivit pentru producția de dispozitive de putere care necesită defecte minime și performanță ridicată în condiții extreme.


Detaliu produs

Etichete de produs

Proprietăți

Grad: Grad de producție (Dummy/Prime)
Dimensiune: diametru de 6 inci
Diametru: 150,25 mm ± 0,25 mm
Grosime: >10 mm (grosime personalizabilă disponibilă la cerere)
Orientarea suprafeței: 4° spre <11-20> ± 0,2°, ceea ce asigură o calitate ridicată a cristalului și o aliniere precisă pentru fabricarea dispozitivului.
Orientare plată primară: <1-100> ± 5°, o caracteristică cheie pentru tăierea eficientă a lingoului în napolitane și pentru creșterea optimă a cristalelor.
Lungime plată primară: 47,5 mm ± 1,5 mm, concepută pentru o manipulare ușoară și o tăiere de precizie.
Rezistivitate: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal pentru aplicații în dispozitive de putere de înaltă eficiență.
Densitatea microțevilor: <0,5, asigurând defecte minime care ar putea afecta performanța dispozitivelor fabricate.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, o valoare scăzută care indică o puritate ridicată a cristalului și o densitate scăzută a defectelor.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, asigurând o excelentă integritate a materialului pentru dispozitivele de înaltă performanță.
Zone de politip: Niciuna – lingoul nu are defecte de politip, oferind o calitate superioară a materialului pentru aplicații de vârf.
Indentări de margine: <3, cu o lățime și adâncime de 1 mm, asigurând deteriorarea minimă a suprafeței și menținând integritatea lingoului pentru o feliere eficientă a napolitanelor.
Crăpături pe margine: 3, <1 mm fiecare, cu o apariție redusă a deteriorării marginilor, asigurând o manipulare în siguranță și o prelucrare ulterioară.
Ambalare: Carcasă de napolitană – lingoul de SiC este ambalat în siguranță într-o cutie de napolitană pentru a asigura transportul și manipularea în siguranță.

Aplicații

Electronica de putere:Lingoul SiC de 6 inchi este utilizat pe scară largă în producția de dispozitive electronice de putere, cum ar fi MOSFET-uri, IGBT-uri și diode, care sunt componente esențiale în sistemele de conversie a puterii. Aceste dispozitive sunt utilizate pe scară largă în invertoarele pentru vehicule electrice (EV), motorizări industriale, surse de alimentare și sisteme de stocare a energiei. Capacitatea SiC de a funcționa la tensiuni înalte, frecvențe înalte și temperaturi extreme îl face ideal pentru aplicațiile în care dispozitivele tradiționale din siliciu (Si) s-ar lupta să funcționeze eficient.

Vehicule electrice (EV):În vehiculele electrice, componentele bazate pe SiC sunt cruciale pentru dezvoltarea modulelor de putere în invertoare, convertoare DC-DC și încărcătoare de bord. Conductivitatea termică superioară a SiC permite generarea redusă de căldură și o eficiență mai bună în conversia puterii, ceea ce este vital pentru îmbunătățirea performanței și a autonomiei de rulare a vehiculelor electrice. În plus, dispozitivele SiC permit componente mai mici, mai ușoare și mai fiabile, contribuind la performanța generală a sistemelor EV.

Sisteme de energie regenerabilă:Lingourile de SiC sunt un material esențial în dezvoltarea dispozitivelor de conversie a energiei utilizate în sistemele de energie regenerabilă, inclusiv invertoare solare, turbine eoliene și soluții de stocare a energiei. Capacitățile mari de manipulare a puterii ale SiC și managementul termic eficient permit o eficiență mai mare a conversiei energiei și o fiabilitate îmbunătățită în aceste sisteme. Utilizarea sa în energia regenerabilă ajută la impulsionarea eforturilor globale către durabilitatea energetică.

Telecomunicatii:Lingoul SiC de 6 inchi este, de asemenea, potrivit pentru producerea de componente utilizate în aplicații RF (frecvență radio) de mare putere. Acestea includ amplificatoare, oscilatoare și filtre utilizate în telecomunicații și sisteme de comunicații prin satelit. Capacitatea SiC de a gestiona frecvențe înalte și putere mare îl face un material excelent pentru dispozitivele de telecomunicații care necesită performanțe robuste și pierderi minime de semnal.

Aerospațial și Apărare:Tensiunea mare de avarie a SiC și rezistența la temperaturi ridicate îl fac ideal pentru aplicații aerospațiale și de apărare. Componentele fabricate din lingouri de SiC sunt utilizate în sistemele radar, comunicații prin satelit și electronice de putere pentru avioane și nave spațiale. Materialele pe bază de SiC permit sistemelor aerospațiale să funcționeze în condițiile extreme întâlnite în medii spațiale și de mare altitudine.

Automatizare industriala:În automatizarea industrială, componentele SiC sunt utilizate în senzori, actuatoare și sisteme de control care trebuie să funcționeze în medii dure. Dispozitivele pe bază de SiC sunt folosite în utilaje care necesită componente eficiente, de lungă durată, capabile să reziste la temperaturi ridicate și solicitări electrice.

Tabelul cu specificațiile produsului

Proprietate

Caietul de sarcini

Nota Producție (Dummy/Prime)
Dimensiune 6 inchi
Diametru 150,25 mm ± 0,25 mm
Grosime >10 mm (personalizat)
Orientarea suprafeței 4° spre <11-20> ± 0,2°
Orientare plată primară <1-100> ± 5°
Lungime plată primară 47,5 mm ± 1,5 mm
Rezistivitate 0,015–0,0285 Ω·cm
Densitatea microconductelor <0,5
Densitatea borului de pitting (BPD) <2000
Densitatea de dislocare a șurubului filetat (TSD) <500
Zone de politip Nici unul
Indentări de margine <3, 1 mm lățime și adâncime
Fisuri de margine 3, <1mm/buc
Ambalare Carcasă pentru napolitană

 

Concluzie

Lingotul SiC de 6 inchi – N-type Dummy/Prime grade este un material premium care îndeplinește cerințele riguroase ale industriei semiconductoarelor. Conductivitatea sa termică ridicată, rezistivitatea excepțională și densitatea scăzută a defectelor îl fac o alegere excelentă pentru producția de dispozitive electronice de putere avansate, componente auto, sisteme de telecomunicații și sisteme de energie regenerabilă. Grosimea personalizabilă și specificațiile de precizie asigură că acest lingou de SiC poate fi adaptat unei game largi de aplicații, asigurând performanță și fiabilitate ridicate în medii solicitante. Pentru mai multe informații sau pentru a plasa o comandă, vă rugăm să contactați echipa noastră de vânzări.

Diagrama detaliată

Lingotul de SiC13
Lingotul de SiC15
Lingotul de SiC14
Lingotul de SiC16

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă