Substrat silicon pe izolator Plachetă SOI trei straturi pentru microelectronică și frecvență radio

Substrat silicon pe izolator Plachetă SOI trei straturi pentru microelectronică și radiofrecvență Imagine prezentată

Scurtă descriere:

Numele complet SOI Silicon On Insulator, este semnificația structurii tranzistorului de siliciu pe partea de sus a izolatorului, principiul este între tranzistorul de siliciu, adăugați material izolator, poate face ca capacitatea parazită între cele două să fie mai mică decât cea originală.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliu produs

Etichete de produs

Introducerea cutiei de napolitane

Vă prezentăm placa noastră avansată Silicon-On-Insulator (SOI), proiectată meticulos cu trei straturi distincte, revoluționând aplicațiile de microelectronică și frecvență radio (RF). Acest substrat inovator combină un strat superior de siliciu, un strat de oxid izolator și un substrat de siliciu inferior pentru a oferi performanțe și versatilitate de neegalat.

Conceput pentru cerințele microelectronicii moderne, placa noastră SOI oferă o bază solidă pentru fabricarea de circuite integrate (CI) complexe cu viteză superioară, eficiență energetică și fiabilitate. Stratul superior de siliciu permite integrarea perfectă a componentelor electronice complexe, în timp ce stratul de oxid izolator minimizează capacitatea parazitară, îmbunătățind performanța generală a dispozitivului.

În domeniul aplicațiilor RF, placheta noastră SOI excelează prin capacitatea sa scăzută de parazit, tensiunea mare de avarie și proprietățile excelente de izolare. Ideal pentru comutatoare RF, amplificatoare, filtre și alte componente RF, acest substrat asigură performanțe optime în sistemele de comunicații fără fir, sistemele radar și multe altele.

În plus, toleranța inerentă la radiații a plăcilor noastre SOI o face ideală pentru aplicații aerospațiale și de apărare, unde fiabilitatea în medii dure este critică. Construcția sa robustă și caracteristicile de performanță excepționale garantează o funcționare constantă chiar și în condiții extreme.

Caracteristici cheie:

Arhitectură cu trei straturi: strat de siliciu superior, strat de oxid izolator și substrat de siliciu inferior.

Performanță superioară în microelectronică: permite fabricarea de circuite integrate avansate cu viteză și eficiență energetică îmbunătățite.

Performanță excelentă RF: Capacitate parazită scăzută, tensiune mare de avarie și proprietăți de izolare superioare pentru dispozitivele RF.

Fiabilitate de calitate aerospațială: toleranța inerentă la radiații asigură fiabilitatea în medii dure.

Aplicații versatile: Potrivit pentru o gamă largă de industrii, inclusiv telecomunicații, aerospațial, apărare și multe altele.

Experimentați următoarea generație de microelectronică și tehnologie RF cu placa noastră avansată Silicon-On-Insulator (SOI). Deblocați noi posibilități de inovare și promovați progresul în aplicațiile dvs. cu soluția noastră de ultimă oră pentru substrat.