150 mm 200 mm 6 inch 8 inch GaN pe napolitană cu epi-strat de silicon Napolitană epitaxială cu nitrură de galiu

Scurta descriere:

Waferul GaN Epi-layer de 6 inci este un material semiconductor de înaltă calitate, format din straturi de nitrură de galiu (GaN) crescute pe un substrat de siliciu.Materialul are proprietăți excelente de transport electronic și este ideal pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare de mare putere și de înaltă frecvență.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliile produsului

Etichete de produs

Metoda de fabricație

Procesul de fabricație implică creșterea straturilor de GaN pe un substrat de safir folosind tehnici avansate, cum ar fi depunerea în vapori chimică metal-organică (MOCVD) sau epitaxia cu fascicul molecular (MBE).Procesul de depunere se desfășoară în condiții controlate pentru a asigura o calitate înaltă a cristalului și un film uniform.

Aplicații GaN-On-Sapphire de 6 inch: cipurile de substrat de safir de 6 inch sunt utilizate pe scară largă în comunicațiile cu microunde, sistemele radar, tehnologia fără fir și optoelectronica.

Unele aplicații comune includ

1. Amplificator de putere RF

2. Industria iluminatului cu LED

3. Echipamente de comunicare în rețea fără fir

4. Dispozitive electronice în mediu de temperatură ridicată

5. Dispozitive optoelectronice

Specificațiile produsului

- Dimensiune: diametrul substratului este de 6 inchi (aproximativ 150 mm).

- Calitatea suprafeței: Suprafața a fost lustruită fin pentru a oferi o calitate excelentă a oglinzii.

- Grosime: Grosimea stratului de GaN poate fi personalizată în funcție de cerințele specifice.

- Ambalare: substratul este ambalat cu grijă cu materiale antistatice pentru a preveni deteriorarea în timpul transportului.

- Margini de poziționare: substratul are margini de poziționare specifice care facilitează alinierea și funcționarea în timpul pregătirii dispozitivului.

- Alți parametri: Parametrii specifici, cum ar fi subțirea, rezistivitatea și concentrația de dopaj pot fi ajustați în funcție de cerințele clientului.

Cu proprietățile lor superioare ale materialelor și aplicațiile diverse, plăcile cu substrat de safir de 6 inci sunt o alegere de încredere pentru dezvoltarea dispozitivelor semiconductoare de înaltă performanță în diverse industrii.

Substratul	6” 1mm <111> p-tip Si	6” 1mm <111> p-tip Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Arc	+/-45um	+/-45um
Cracare	<5mm	<5mm
Vertical BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT GrosimeAvg	20-30 nm	20-30 nm
Insitu SiN Cap	5-60 nm	5-60 nm
2GR conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilitate	~2000 cm²/Vs (<2%)	~2000 cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/mp (<2%)	<330ohm/mp (<2%)