Placă de substrat semi-SiC 4H de 3 inch, 76,2 mm, plachetă de carbură de siliciu, semi-izolante SiC

Placă de substrat semi-SiC 4H de 3 inch, 76,2 mm, din carbură de siliciu, plachetă semi-izolantă SiC. Imagine prezentată

Scurtă descriere:

Plachetă SiC monocristalină de înaltă calitate (carbură de siliciu) pentru industria electronică și optoelectronică. Placheta SiC de 3 inch este un material semiconductor de generație următoare, plachete semiizolante din carbură de siliciu cu diametrul de 3 inch. Plachetele sunt destinate fabricării de dispozitive de putere, RF și optoelectronice.

Trimiteți-ne un e-mail

Detalii produs

Etichete de produs

Specificații ale produsului

Napolitanele semiizolate de SiC (carbură de siliciu) de 3 inci, cu diametrul de 4H, sunt un material semiconductor utilizat în mod obișnuit. 4H indică o structură cristalină tetrahexaedrică. Semiizolația înseamnă că substratul are caracteristici de rezistență ridicată și poate fi oarecum izolat de fluxul de curent.

Astfel de napolitane substrat au următoarele caracteristici: conductivitate termică ridicată, pierderi de conducție reduse, rezistență excelentă la temperaturi ridicate și stabilitate mecanică și chimică excelentă. Deoarece carbura de siliciu are un interval energetic mare și poate rezista la temperaturi ridicate și condiții de câmp electric ridicat, napolitanele semiizolate 4H-SiC sunt utilizate pe scară largă în electronica de putere și în dispozitivele de radiofrecvență (RF).

Principalele aplicații ale napolitanelor semiizolate 4H-SiC includ:

1--Electronică de putere: Napolitanele 4H-SiC pot fi utilizate pentru fabricarea de dispozitive de comutare a puterii, cum ar fi MOSFET-uri (tranzistoare cu efect de câmp semiconductor cu oxid metalic), IGBT-uri (tranzistoare bipolare cu poartă izolată) și diode Schottky. Aceste dispozitive au pierderi de conducție și comutare mai mici în medii de înaltă tensiune și temperatură ridicată și oferă o eficiență și o fiabilitate mai mari.

2--Dispozitive de radiofrecvență (RF): Napolitanele semiizolate 4H-SiC pot fi utilizate pentru fabricarea amplificatoarelor de putere RF de înaltă putere și frecvență, a rezistențelor pentru cipuri, a filtrelor și a altor dispozitive. Carbura de siliciu are performanțe mai bune la frecvență înaltă și stabilitate termică datorită ratei mai mari de derivă a saturației electronilor și a conductivității termice mai mari.

3--Dispozitive optoelectronice: Napolitanele semiizolate 4H-SiC pot fi utilizate pentru fabricarea de diode laser de mare putere, detectoare de lumină UV și circuite integrate optoelectronice.

În ceea ce privește direcția pieței, cererea de napolitane semiizolate 4H-SiC este în creștere odată cu dezvoltarea domeniilor electronicii de putere, RF și optoelectronicii. Acest lucru se datorează faptului că carbura de siliciu are o gamă largă de aplicații, inclusiv eficiența energetică, vehiculele electrice, energia regenerabilă și comunicațiile. În viitor, piața napolitanelor semiizolate 4H-SiC rămâne foarte promițătoare și se așteaptă să înlocuiască materialele convenționale din siliciu în diverse aplicații.