Napolitană cu substrat 4H-Semi SiC de 3 inch 76,2 mm Napolitane SiC semi-insultante cu carbură de siliciu

Napolitană cu substrat 4H-Semi SiC de 3 inch 76,2 mm Napolitane de SiC semi-insultante cu carbură de siliciu Imagine prezentată

Scurtă descriere:

Vafer SiC monocristal de înaltă calitate (carbură de siliciu) pentru industria electronică și optoelectronică. Placa SiC de 3 inch este un material semiconductor de generație următoare, napolitane semi-izolante cu carbură de siliciu cu diametrul de 3 inci. Napolitanele sunt destinate fabricării de dispozitive de putere, RF și optoelectronice.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliu produs

Etichete de produs

Specificația produsului

Placile de substrat SiC (carbură de siliciu) semi-izolate de 3 inci 4H sunt un material semiconductor utilizat în mod obișnuit. 4H indică o structură cristalină tetrahexaedrică. Semiizolare înseamnă că substratul are caracteristici de rezistență ridicată și poate fi oarecum izolat de fluxul de curent.

Astfel de plăci de substrat au următoarele caracteristici: conductivitate termică ridicată, pierderi reduse de conducție, rezistență excelentă la temperaturi ridicate și stabilitate mecanică și chimică excelentă. Deoarece carbura de siliciu are un decalaj mare de energie și poate rezista la temperaturi ridicate și condiții ridicate de câmp electric, napolitanele semiizolate 4H-SiC sunt utilizate pe scară largă în electronica de putere și dispozitivele de radiofrecvență (RF).

Principalele aplicații ale plachetelor semiizolate 4H-SiC includ:

1--Electronica de putere: Wafer-urile 4H-SiC pot fi utilizate pentru fabricarea dispozitivelor de comutare a puterii, cum ar fi MOSFET-uri (tranzistoare cu efect de câmp cu semiconductor de oxid de metal), IGBT-uri (tranzistoare bipolare cu poartă izolată) și diode Schottky. Aceste dispozitive au pierderi de conducție și de comutare mai mici în medii de înaltă tensiune și temperatură ridicată și oferă o eficiență și fiabilitate mai ridicate.

2--Dispozitive de radiofrecvență (RF): Waferele semi-izolate 4H-SiC pot fi utilizate pentru a fabrica amplificatoare de putere RF de înaltă frecvență, rezistențe cu cip, filtre și alte dispozitive. Carbura de siliciu are performanțe de înaltă frecvență și stabilitate termică mai bune datorită ratei mai mari de saturație a electronilor și conductivității termice mai mari.

3--Dispozitive optoelectronice: napolitanele semiizolate 4H-SiC pot fi utilizate pentru fabricarea de diode laser de mare putere, detectoare de lumină UV și circuite integrate optoelectronice.

În ceea ce privește direcția pieței, cererea pentru plachete semiizolate 4H-SiC este în creștere odată cu domeniile în creștere ale electronicii de putere, RF și optoelectronică. Acest lucru se datorează faptului că carbura de siliciu are o gamă largă de aplicații, inclusiv eficiență energetică, vehicule electrice, energie regenerabilă și comunicații. În viitor, piața pentru plachete semi-izolate 4H-SiC rămâne foarte promițătoare și este de așteptat să înlocuiască materialele convenționale din siliciu în diverse aplicații.