Substraturi SiC de 3 inch Dia76.2mm HPSI Prime Research și Dummy grade

Substrat conductiv: se referă la rezistivitatea substratului de carbură de siliciu de 15~30mΩ-cm.Placa epitaxială cu carbură de siliciu crescută din substratul conductiv de carbură de siliciu poate fi transformată în dispozitive de putere, care sunt utilizate pe scară largă în vehicule cu energie noi, fotovoltaice, rețele inteligente și transport feroviar.

Substratul semi-izolant se referă la rezistivitate mai mare de 100000Ω-cm substrat de carbură de siliciu, utilizat în principal la fabricarea dispozitivelor de radiofrecvență cu microunde cu nitrură de galiu, este baza câmpului de comunicație fără fir.

Este o componentă de bază în domeniul comunicațiilor fără fir.

Substraturile conductoare și semiizolante din carbură de siliciu sunt utilizate într-o gamă largă de dispozitive electronice și dispozitive de alimentare, inclusiv, dar fără a se limita la următoarele:

Dispozitive semiconductoare de mare putere (conductoare): substraturile cu carbură de siliciu au o intensitate ridicată a câmpului de rupere și conductivitate termică și sunt potrivite pentru producerea de tranzistoare și diode de putere mare și alte dispozitive.

Dispozitive electronice RF (semiizolate): substraturile cu carbură de siliciu au viteză mare de comutare și toleranță la putere, potrivite pentru aplicații precum amplificatoare de putere RF, dispozitive cu microunde și comutatoare de înaltă frecvență.

Dispozitive optoelectronice (semiizolate): substraturile cu carbură de siliciu au un decalaj mare de energie și stabilitate termică ridicată, potrivite pentru realizarea de fotodiode, celule solare și diode laser și alte dispozitive.

Senzori de temperatură (conductivi): substraturile cu carbură de siliciu au conductivitate termică ridicată și stabilitate termică, potrivite pentru producția de senzori de temperatură înaltă și instrumente de măsurare a temperaturii.

Procesul de producție și aplicarea substraturilor conductoare și semiizolante din carbură de siliciu au o gamă largă de domenii și potențiale, oferind noi posibilități de dezvoltare a dispozitivelor electronice și a dispozitivelor de putere.