4H-semi HPSI 2inch SiC substrat napolitan Producție Dummy Grad de cercetare

Scurta descriere:

Placa de substrat cu un singur cristal din carbură de siliciu de 2 inchi este un material de înaltă performanță cu proprietăți fizice și chimice remarcabile.Este realizat dintr-un material monocristal de carbură de siliciu de înaltă puritate, cu o conductivitate termică excelentă, stabilitate mecanică și rezistență la temperaturi ridicate.Datorită procesului său de pregătire de înaltă precizie și materialelor de înaltă calitate, acest cip este unul dintre materialele preferate pentru prepararea dispozitivelor electronice de înaltă performanță în multe domenii.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliile produsului

Etichete de produs

Plachete SiC cu substrat de carbură de siliciu semiizolante

Substratul din carbură de siliciu este împărțit în principal în tip conductiv și semi-izolant, substratul conductiv din carbură de siliciu la substrat de tip n este utilizat în principal pentru LED-uri epitaxiale pe bază de GaN și alte dispozitive optoelectronice, dispozitive electronice de putere pe bază de SiC etc. și semi- Substratul izolant de carbură de siliciu SiC este utilizat în principal pentru fabricarea epitaxială a dispozitivelor de radiofrecvență GaN de mare putere.În plus, semiizolația de înaltă puritate HPSI și semiizolația SI este diferită, concentrația purtătorului de semiizolație de înaltă puritate de 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, cu mobilitate ridicată a electronilor;semi-izolația este un materiale de înaltă rezistență, rezistivitatea este foarte mare, utilizată în general pentru substraturile dispozitivelor cu microunde, neconductoare.

Foaie de substrat semiizolantă din carbură de siliciu napolitană SiC

Structura cristalină SiC determină fizica sa, în raport cu Si și GaAs, SiC are pentru proprietățile fizice;lățimea de bandă interzisă este mare, aproape de 3 ori mai mare decât Si, pentru a se asigura că dispozitivul funcționează la temperaturi ridicate sub fiabilitatea pe termen lung;intensitatea câmpului de defalcare este mare, este de 10 ori mai mare decât cea a Si, pentru a se asigura că capacitatea de tensiune a dispozitivului, îmbunătățește valoarea tensiunii dispozitivului;rata de saturație a electronilor este mare, este de 2 ori mai mare decât Si, pentru a crește frecvența și densitatea de putere a dispozitivului;Conductivitatea termică este mare, mai mare decât Si, conductivitatea termică este ridicată, conductivitatea termică este mare, conductivitatea termică este ridicată, conductivitatea termică este ridicată, mai mult decât Si, conductivitatea termică este ridicată, conductivitatea termică este ridicată.Conductivitate termică ridicată, de peste 3 ori mai mare decât Si, mărind capacitatea de disipare a căldurii a dispozitivului și realizând miniaturizarea dispozitivului.