Napolitane SiC din carbură de siliciu de 6 inch și 150 mm, tip 4H-N, pentru cercetare în producție MOS sau SBD și grad fictiv

Scurtă descriere:

Substratul monocristal din carbură de siliciu de 6 inci este un material de înaltă performanță cu proprietăți fizice și chimice excelente. Fabricat din material monocristal din carbură de siliciu de înaltă puritate, acesta prezintă o conductivitate termică superioară, stabilitate mecanică și rezistență la temperaturi ridicate. Acest substrat, realizat prin procese de fabricație precise și materiale de înaltă calitate, a devenit materialul preferat pentru fabricarea dispozitivelor electronice de înaltă eficiență în diverse domenii.


Detalii produs

Etichete de produs

Domenii de aplicare

Substratul monocristal din carbură de siliciu de 6 inci joacă un rol crucial în multiple industrii. În primul rând, este utilizat pe scară largă în industria semiconductorilor pentru fabricarea de dispozitive electronice de mare putere, cum ar fi tranzistoare de putere, circuite integrate și module de putere. Conductivitatea termică ridicată și rezistența la temperaturi ridicate permit o mai bună disipare a căldurii, rezultând o eficiență și o fiabilitate îmbunătățite. În al doilea rând, napolitanele din carbură de siliciu sunt esențiale în domeniile de cercetare pentru dezvoltarea de noi materiale și dispozitive. În plus, napolitanele din carbură de siliciu își găsesc aplicații extinse în domeniul optoelectronicii, inclusiv în fabricarea de LED-uri și diode laser.

Specificații ale produsului

Substratul monocristal din carbură de siliciu, cu diametrul de 6 inci, are un diametru de 6 inci (aproximativ 152,4 mm). Rugozitatea suprafeței este Ra < 0,5 nm, iar grosimea este de 600 ± 25 μm. Substratul poate fi personalizat cu conductivitate de tip N sau de tip P, în funcție de cerințele clientului. Mai mult, prezintă o stabilitate mecanică excepțională, fiind capabil să reziste la presiune și vibrații.

Diametru 150 ± 2,0 mm (6 inci)

Grosime

350 μm ± 25 μm

Orientare

Pe axă: <0001>±0,5°

În afara axei: 4,0° către 1120±0,5°

Politip 4H

Rezistență (Ω·cm)

4H-N

0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm

4/6H-SI

>1E5

Orientare plată principală

{10-10}±5,0°

Lungimea principală a plăcii (mm)

47,5 mm ± 2,5 mm

Margine

Teșitură

TTV/Arc/Urzeală (um)

≤15 / ≤40 / ≤60

AFM Front (Si-face)

Ra ≤ 1 nm pentru polish

CMP Ra≤0,5 nm

Valoarea clientului (LTV)

≤3μm (10mm * 10mm)

≤5μm (10mm * 10mm)

≤10μm (10mm * 10mm)

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

Coajă de portocală/sâmburi/crăpături/contaminare/pete/striuri

Nici unul Nici unul Nici unul

indentări

Nici unul Nici unul Nici unul

Substratul monocristal din carbură de siliciu de 6 inci este un material de înaltă performanță, utilizat pe scară largă în industria semiconductorilor, cercetare și optoelectronică. Acesta oferă o conductivitate termică excelentă, stabilitate mecanică și rezistență la temperaturi ridicate, fiind potrivit pentru fabricarea de dispozitive electronice de mare putere și cercetarea de noi materiale. Oferim diverse specificații și opțiuni de personalizare pentru a satisface diversele cerințe ale clienților.Contactați-ne pentru mai multe detalii despre napolitanele din carbură de siliciu!

Diagramă detaliată

WechatIMG569_ (1)
WechatIMG569_ (2)

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă