Napolitanele de SiC sunt semiconductoare fabricate din carbură de siliciu.Acest material a fost dezvoltat în 1893 și este ideal pentru o varietate de aplicații.Adecvat în special pentru diode Schottky, diode Schottky cu barieră de joncțiune, întrerupătoare și tranzistoare cu efect de câmp cu semiconductor de metal-oxid.Datorită durității sale mari, este o alegere excelentă pentru componentele electronice de putere.
În prezent, există două tipuri principale de napolitane SiC.Prima este o napolitană lustruită, care este o singură napolitană cu carbură de siliciu.Este realizat din cristale de SiC de înaltă puritate și poate avea un diametru de 100 mm sau 150 mm.Este folosit în dispozitive electronice de mare putere.Al doilea tip este napolitana de carbură de siliciu cu cristal epitaxial.Acest tip de napolitană este realizată prin adăugarea unui singur strat de cristale de carbură de siliciu la suprafață.Această metodă necesită un control precis al grosimii materialului și este cunoscută sub numele de epitaxie de tip N.
Următorul tip este carbura de siliciu beta.Beta SiC este produs la temperaturi peste 1700 de grade Celsius.Carburele alfa sunt cele mai comune și au o structură cristalină hexagonală similară cu wurtzita.Forma beta este similară cu diamantul și este folosită în unele aplicații.A fost întotdeauna prima alegere pentru semifabricatele pentru vehicule electrice.Mai mulți furnizori terți de plachete cu carbură de siliciu lucrează în prezent la acest nou material.
Napolitanele ZMSH SiC sunt materiale semiconductoare foarte populare.Este un material semiconductor de înaltă calitate, care este potrivit pentru multe aplicații.Placile cu carbură de siliciu ZMSH sunt un material foarte util pentru o varietate de dispozitive electronice.ZMSH furnizează o gamă largă de napolitane și substraturi SiC de înaltă calitate.Sunt disponibile în forme de tip N și semiizolate.
2---Carbura de siliciu: Spre o nouă eră a napolitanelor
Proprietăți fizice și caracteristici ale carburii de siliciu
Carbura de siliciu are o structură cristalină specială, folosind o structură compactă hexagonală similară cu diamantul.Această structură permite carburii de siliciu să aibă o conductivitate termică excelentă și rezistență la temperaturi ridicate.În comparație cu materialele tradiționale de siliciu, carbura de siliciu are o lățime de bandă mai mare, ceea ce oferă o distanță mai mare a benzii de electroni, rezultând o mobilitate mai mare a electronilor și un curent de scurgere mai mic.În plus, carbura de siliciu are, de asemenea, o viteză mai mare de saturație a electronilor și o rezistivitate mai scăzută a materialului în sine, oferind performanțe mai bune pentru aplicațiile de mare putere.
Cazuri de aplicare și perspective ale plachetelor cu carbură de siliciu
Aplicații electronice de putere
Placa cu carbură de siliciu are o perspectivă largă de aplicare în domeniul electronicii de putere.Datorită mobilității lor ridicate a electronilor și conductibilității termice excelente, plachetele SIC pot fi utilizate pentru fabricarea dispozitivelor de comutare cu densitate mare de putere, cum ar fi module de putere pentru vehicule electrice și invertoare solare.Stabilitatea la temperaturi ridicate a plachetelor cu carbură de siliciu permite acestor dispozitive să funcționeze în medii cu temperaturi ridicate, oferind o eficiență și fiabilitate mai mari.
Aplicații optoelectronice
În domeniul dispozitivelor optoelectronice, plachetele cu carbură de siliciu își arată avantajele unice.Materialul din carbură de siliciu are caracteristici de bandă interzisă largă, ceea ce îi permite să obțină energie fotonică mare și pierderi reduse de lumină în dispozitivele optoelectronice.Placile cu carbură de siliciu pot fi folosite pentru a pregăti dispozitive de comunicare de mare viteză, fotodetectoare și lasere.Conductivitatea sa termică excelentă și densitatea scăzută a defectelor de cristal îl fac ideal pentru prepararea dispozitivelor optoelectronice de înaltă calitate.
Outlook
Odată cu cererea în creștere pentru dispozitive electronice de înaltă performanță, plachetele cu carbură de siliciu au un viitor promițător ca material cu proprietăți excelente și un potențial larg de aplicare.Odată cu îmbunătățirea continuă a tehnologiei de preparare și reducerea costurilor, va fi promovată aplicarea comercială a plachetelor cu carbură de siliciu.Este de așteptat ca în următorii câțiva ani, plachetele cu carbură de siliciu să intre treptat pe piață și să devină alegerea principală pentru aplicații de înaltă putere, frecvență înaltă și temperatură înaltă.
3---Analiza aprofundată a pieței de napolitane SiC și a tendințelor tehnologice
Analiza aprofundată a factorilor de piață a plachetelor cu carbură de siliciu (SiC).
Creșterea pieței plachetelor cu carbură de siliciu (SiC) este influențată de mai mulți factori cheie, iar analiza aprofundată a impactului acestor factori asupra pieței este critică.Iată câțiva dintre principalii factori de piață:
Economie de energie și protecția mediului: caracteristicile de înaltă performanță și consum redus de energie ale materialelor cu carbură de siliciu îl fac popular în domeniul economisirii energiei și al protecției mediului.Cererea de vehicule electrice, invertoare solare și alte dispozitive de conversie a energiei stimulează creșterea pieței plachetelor cu carbură de siliciu, deoarece ajută la reducerea risipei de energie.
Aplicații pentru electronice de putere: carbura de siliciu excelează în aplicațiile electronice de putere și poate fi utilizată în electronica de putere în medii de presiune ridicată și temperatură ridicată.Odată cu popularizarea energiei regenerabile și promovarea tranziției energiei electrice, cererea de plachete cu carbură de siliciu pe piața electronicelor de putere continuă să crească.
Analiza detaliată a tendinței de dezvoltare a tehnologiei de fabricație a napolitanelor SiC
Producția în masă și reducerea costurilor: viitoarea producție de napolitane SiC se va concentra mai mult pe producția de masă și pe reducerea costurilor.Aceasta include tehnici de creștere îmbunătățite, cum ar fi depunerea chimică în vapori (CVD) și depunerea fizică în vapori (PVD) pentru a crește productivitatea și a reduce costurile de producție.În plus, se așteaptă ca adoptarea unor procese de producție inteligente și automatizate să îmbunătățească și mai mult eficiența.
Noua dimensiune și structură a plachetelor: dimensiunea și structura plachetelor de SiC se pot schimba în viitor pentru a satisface nevoile diferitelor aplicații.Acestea pot include plachete cu diametru mai mare, structuri eterogene sau plachete multistrat pentru a oferi mai multă flexibilitate de proiectare și opțiuni de performanță.
Eficiență energetică și producție ecologică: în viitor, producția de napolitane de SiC va pune un accent mai mare pe eficiența energetică și pe producția ecologică.Fabricile alimentate cu energie regenerabilă, materiale verzi, reciclarea deșeurilor și procese de producție cu emisii scăzute de carbon vor deveni tendințe în producție.
Ora postării: 19-ian-2024